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BaSi_(2)O_(2)N_(2):Eu^(2+),Mn^(2+)荧光粉的制备及对Eu^(2+)晶体学格位的讨论: 2025年; 文章采用两步固相法制备了BaSi_(2)O_(2)N_(2):Eu^(2+),Mn^(2+)荧光粉,利用荧光光谱仪(PL)、扫描隧道显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对所制备样品的荧光性能、颗粒表面形貌和晶体结构进行研究。其光谱呈现Eu^(2+)的d-f跃迁的宽谱带特性,发射光谱峰值为490 nm,激发光谱覆盖了370~470 nm,与蓝光和近紫外光LED芯片的激发波长相匹配。Mn^(2+)的掺杂并未改变BaSi_(2)O_(2)N_(2):Eu^(2+)的发光谱形和晶体结构,但是增强了Eu^(2+)的发光强度,当Mn^(2+)的掺杂浓度为0.02 mol时,其发光强度提高了46%;所制备荧光粉表面形貌呈无规则状。通过UITERT经验公式讨论了Eu^(2+)在BaSi_(2)O_(2)N_(2):Eu^(2+)中的晶体学格位,所计算的理论值489 nm与实验观测值490 nm相近。; 王江涛李媛媛曹智李郎楷马保亮王浩浩; 关键词：稀土掺杂固相反应法晶体学格位

Ce^3＋在Ba2ZnB2O6中的晶体学格位及其发光性能研究被引量：1: 2016年; 通过高温固相法合成了Ba_2ZnB_2O_6∶Ce^(3+)蓝色荧光粉。通过XRD、Rietveld结构精修、激发和发射光谱、荧光衰减曲线以及变温荧光光谱等,对荧光粉的晶体结构和发光性能进行了研究。结果表明:Ce^(3+)的掺入并未对基质的晶格结构产生影响,在350 nm近紫外光激发下,Ba_2ZnB_2O_6∶x Ce^(3+)的发射峰为位于430 nm的不对称的宽谱,最佳掺杂浓度为x=0.01,Ce^(3+)在Ba_2ZnB_2O_6晶格中占据Ba1和Ba3两种格位,随掺杂浓度升高更倾向于占据Ba3位。Ce^(3+)的择优占位使荧光粉的发光由蓝光向蓝绿色区域发生了明显的漂移。; 易欢武莉武丽伟孔勇发许京军; 关键词：荧光粉光致发光晶体学格位

Ce^(3+)在Na_2Ca_(1-x)SiO_4:xCe^(3+)中的发光特性及晶体学格位被引量：5: 2012年; 采用高温固相法合成了Na2Ca1-xSiO4:xCe3+蓝色发光材料,并对其发光特性进行了研究。测得激发光谱为双峰宽谱,峰值分别位于279nm和360 nm,属于Ce3+的4f-5d跃迁,可被紫外-近紫外LED芯片有效激发。样品的发射光谱为不对称单峰宽谱,主峰位于439nm。利用van Uitert公式证明了Ca在Na2CaSiO4中只存在一种晶体学格位,判定经Gauss分峰拟合后的425 nm与460 nm子发射峰均来自于八配位Ce3+的发射,非对称发射的原因是局部晶体场的不对称和Ce3+能级劈裂。研究了Ce3+掺杂量对Na2Ca1-xSiO4:xCe3+材料发光特性的影响。结果显示,随Ce3+掺杂量的增大,发光强度先增大后减小,且发射光谱红移。Ce3+掺杂量为4%(摩尔分数)时,出现浓度猝灭,根据Dexter理论分析猝灭机理为电偶极-电四极相互作用。; 杨志平宋延春赵青韩月潘飞; 关键词：发光晶体学格位

Eu^(2+)在KCaPO_4中的发光及晶体学格位被引量：4: 2011年; 采用高温固相法制备了KCaPO4:Eu2+蓝绿色荧光粉,研究了材料的发光特性。在400 nm近紫外光激发下,材料呈非对称的单峰发射,主峰位于487 nm。监测487 nm发射峰,对应的激发光谱覆盖300~450 nm,说明材料能够很好的吸收紫外-近紫外光,发射蓝绿色光。利用van Uitert公式计算了Eu2+取代KCaPO4中Ca2+时所占晶体学格位,得出478 nm和527 nm发射分别归属于八配位和六配位的Eu2+发射。研究了Eu2+掺杂浓度对KCaPO4:Eu2+材料发射强度的影响,结果显示,随Eu2+浓度的增大,材料的发射强度呈现出先增大后减小的趋势,强度最大处对应的Eu2+浓度为3%。利用Dexter理论对Eu2+发射的浓度猝灭机理进行了研究,结果表明,其源于电偶极-电偶极相互作用。; 李盼来王蕴珠王志军郭庆林杨志平; 关键词：发光特性晶体学格位

Eu^(2+)在KNaCa_2(PO_4)_2中的发光及晶体学格位被引量：5: 2011年; 采用高温固相法制备了KNaCa2(PO4)2:Eu2+蓝色荧光粉,并研究了材料的发光特性.在400 nm近紫外光激发下,材料呈非对称的单峰发射,主峰位于470 nm.监测470 nm发射峰,对应的激发光谱覆盖200~450 nm,主峰位于400 nm,说明材料能够很好的吸收紫外?近紫外光,发射蓝色光.利用van Uitert公式计算了Eu2+取代KNaCa2(PO4)2中Ca2+时所占晶体学格位,得出461和502 nm发射分别归属于八配位和六配位的Eu2+发射.研究了Eu2+掺杂浓度对KNaCa2(PO4)2:Eu2+材料发射强度的影响,结果显示Eu2+的最佳掺杂浓度为1mol%,利用Dexter理论得出其浓度猝灭机理为电偶极?电偶极相互作用.; 王志军李妍王颖李盼来郭庆林杨志平; 关键词：白光LED 发光晶体学格位

Ce^(3+)在LiBaBO_3中的发光特性及晶体学格位被引量：1: 2009年; 采用固相法制备了LiBaBO3:Ce3+发光材料.测得LiBaBO3:Ce3+材料的发射光谱为一不对称的单峰宽谱,主峰位于440nm;监测440nm发射峰,可得其激发光谱为一主峰位于370nm的宽谱.利用vanUitert公式计算了Ce3+取代LiBaBO3中Ba2+时所占晶体学格位,得出438nm发射带归属于九配位的Ce3+发射,而469nm发射带起源于八配位的Ce3+发射.研究了Ce3+浓度对LiBaBO3:Ce3+材料发光强度的影响,结果显示,随Ce3+浓度的增大,发光强度呈现先增大后减小的趋势,Ce3+浓度为3mol%时强度最大,造成其浓度猝灭的原因为电偶极-偶极相互作用.引入Li+,Na+或K+可增强LiBaBO3:Ce3+材料的发射强度.利用InGaN管芯(370nm)激发LiBaBO3:Ce3+材料,获得了很好的蓝白光发射,色坐标为(x=0.291,y=0.297).; 李盼来王志军王颖杨志平郭庆林李旭杨艳民傅广生; 关键词：白光发光二极管晶体学格位发光特性

Ce^(3+)激活的LiSrBO_3材料发光特性及晶体学格位研究被引量：7: 2009年; 采用固相法制备了蓝白色LiSrBO3∶Ce3+材料.测得LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱为一个主峰位于436 nm的非对称单峰宽谱;监测436 nm发射峰时所得材料的激发光谱为一个主峰位于369 nm的宽谱.利用Van Uitert公式计算了Ce3+取代LiSrBO3中Sr时所占晶体学格位,得出433 nm发射带归属于九配位的Ce3+发射,469 nm发射带起源于八配位的Ce3+发射.研究了Ce3+浓度对LiSrBO3∶Ce3+材料发光强度的影响,研究结果显示,随着Ce3+浓度的增大,发光强度呈现先增大后减小的趋势,在Ce3+摩尔分数为3%时到达峰值,根据Dexter理论,其浓度猝灭机理为电偶极-偶极相互作用.引入Li+,Na+和K+作为电荷补偿剂时发现,LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱强度均得到了明显的增强.利用InGaN管芯(370 nm)激发LiSrBO3∶Ce3+材料时,获得了很好的蓝白光发射,色坐标为(x=0.289,y=0.293).; 李盼来王志军王颖杨志平郭庆林; 关键词：白光LED 晶体学格位发光特性

Ca_3MgSi_2O_8中Ce^(3+)的光谱及其晶体学格位被引量：6: 2000年; 本文合成了发射蓝紫色光的镁硅钙石 Ca3Mg Si2 O8:Ce3+荧光体。测试了该荧光体的激发和发射光谱。利用这些光谱结果和 Van Uitert经验公式 ,结合对 Ca3Mg Si2 O8晶体的结构研究 ,确认 Ca3Mg Si2 O8:Ce3+中存在两种性质有差异的 Ce3+发光中心 ,它们分别占据基质中的两种八配位的钙格位。; 黄立辉林海王晓君刘行仁; 关键词：光谱晶体学格位

三价铈离子在氯硅酸镁钙中的晶体学格位研究被引量：4: 1997年; 首次合成了发射蓝紫光的Ce3+激活的氯硅酸镁钙Ca8Mg（SiO4）4Cl2：Ce3+新荧光粉，利用Ce3+的光谱结果和VanUitert经验公式，结合对Ca8Mg（SiO4）4Cl2晶体的结构研究，判断出Ca8Mg（SiO4）4Cl2:Ce3+中存在两种性质稍有差异的Ce3+发光中心，这两种发光中心均占据基质中八配位的钙格位．; 林海刘行仁; 关键词：铈离子光谱晶体学格位发光材料

Ca_8Mg（SiO_4）_4Cl_2中Ce^（3＋）的光谱与晶体学格位被引量：4: 1996年; 合成了新型蓝色光致发光材料Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ（３＋），并对其进行了光谱测试．分析了Ｃｅ（３＋）在Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中应占据的晶体学格位．测试结果表明，在紫外光激发下，Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ（３＋）的发射光谱为一峰位在４１０ｎｍ～４２５ｎｍ之间的宽谱带，经分析确认作为发光中心的Ｃｅ（３＋）占据Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中多面体八配位的Ｃａ（Ⅱ）格位．; 林海刘行仁马龙刘大涛; 关键词：晶体学格位铈离子光致发光材料

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