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一种考虑几何屏蔽效应的计算“电子-分子”散射总截面的可加性规则修正方法被引量：1: 2008年; 在考虑分子内原子间的几何屏蔽效应随电子入射能量变化的基础上,提出了一种能够在中、高能区准确计算"电子-分子"散射总截面的可加性规则修正方法.利用这一修正后的可加性规则并使用"电子-C,H,O,N原子"散射总截面的实验数据,在50—5000eV内计算了电子被NO,N2O,NO2和C2H6分子散射的总截面,且将计算结果与实验结果及其他理论结果进行了比较.结果表明,利用这一方法修正过的可加性规则进行计算,所得结果要比利用未修正的可加性规则及其他理论进行计算所得结果更接近实验值.同时分析也表明,为使未修正的可加性规则能够在一个较大的能区内直接用于"电子-分子"散射总截面的计算,必须改造适用于"电子-自由原子"散射总截面计算的复光学势,以解决它用于"电子-分子中的原子"散射总截面的计算时,在中低能区过强、且随电子入射能量的增加而衰减太快的问题.; 施德恒孙金锋朱遵略刘玉芳; 关键词：电子散射可加性规则总截面

若干小分子基态与激发态的势能函数、分子常数及“电子-分子”散射总截面研究: 分子势能函数是原子分子物理学的重要研究内容之一．分子势能函数是在Born-Oppenheimer近似下对分子性质的完全描述，即描述分子的能量、几何、力学和光谱性质，同时也是核运动的势能函数，是研究原子分子碰撞及反应动力学...; 施德恒; 关键词：势能函数激发态分子常数电子散射散射截面

一种计算中、高能电子被分子散射总截面的修正势方法被引量：3: 2006年; 在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上,提出了一种能够在中、高能区准确计算“电子_分子”散射总截面的修正势方法.利用可加性规则及Hartree_Fock波函数,使用这一修正过的复光学势,在30—5000eV内对电子被4个等电子(Z=18)分子(HCl,H2S,PH3和SiH4)散射的总截面进行了计算,并将理论计算值与实验结果及其他理论值进行了比较.结果表明,利用这一修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得理论值与实验结果更为接近.因此在复光学势中采用本文提出的这一修正方法,可提高中、高能电子被分子散射的总截面的计算准确性.; 施德恒孙金锋刘玉芳马恒朱遵略; 关键词：电子散射总截面可加性规则

低能电子被水分子散射总截面的计算(英文): 2006年; 基于固定核近似原理,利用R矩阵方法和分子的R矩阵程序计算了在4-20 eV能量范围内电子被水分子弹性散射的总碰撞截面,同时讨论了R矩阵半径的取值对总截面的影响.并将结果与实验值及其它理论计算作了比较,结果显示这种计算方法对于电子分子碰撞是很有效的.; 赵倩蒋刚王红艳; 关键词：电子散射水分子 R矩阵

10～3000 eV下电子被分子N_2O、NO_2及CO_2散射总截面的计算: 2006年; 考虑到靶分子的不充分透明性和原子间电子云的重叠，提出了修正的可加性规则并用于计算分子N2O、NO2及CO2的散射的总截面．计算的能量范围为10～3000eV，并将计算结果与已有的实验结果和理论计算进行了比较．; 程正则; 关键词：散射总截面可加性规则

10～3000eV下电子被分子N_2O,NO_2及NO散射总截面的计算: 2005年; 考虑到靶分子的不充分透明性和原子间电子云的重叠,一个修正的可加性规则被提出用于计算分子N2O,NO2及NO的散射的总截面.我们计算的能量范围从10～3 000 eV.计算结果与已有的实验结果和理论计算进行了比较.; 徐斌孙金锋张莹刘玉芳; 关键词：散射总截面可加性规则

C3H6同分异构体电子散射总截面的计算: 2005年; 我们提出了一个可加性规则的半经验公式，并且运用该公式对10-300eV时C3H6同分异构体电子散射总截面进行了计算。计算结果表明，该方法简单有效，与实验结果符合得较好。; 王艳文谭晓明; 关键词：可加性规则总截面

中高能电子与分子散射总截面的理论研究: 电子与分子散射规律的研究可以为许多学科提供重要的依据。本文从两个方面对中高能电子被分子散射时总截面的计算进行了研究，旨在从理论上探索更简单快捷的计算方法，以便于给出更准确的总截面结果。以往的计算结果表明，利用...; 杜朝玲; 关键词：分子散射可加性规则

计算中高能区电子与多原子分子散射总截面的经验公式被引量：1: 2004年; 根据相关文献中实验测得的一些分子总截面与分子极化率的定量关系,利用分子的平均键长和极化率等参数拟合了一种计算中高能区电子与多原子分子散射总截面的经验公式,并对e-CH3Cl,e-CH2Cl2,e-CH3I和e-O3散射的总截面进行了计算,结果与文献中的实验结果较为吻合.; 王如梅王玲; 关键词：多原子分子散射总截面经验公式分子极化率量子力学

中高能区电子与分子散射总截面的计算被引量：1: 2004年; 实验表明,电子与分子碰撞总截面(TCS)与分子本身固有参数(极化率、键长等)有一定关系,所以可从理论上定量探索这种关系,找出包含这些参数的准经验公式。理论上可根据散射截面的"低能极限为硬球势散射、高能极限为玻恩近似"的思想,参考实验上测得的一些分子的总截面与分子的极化率的定量关系,我们用分子的几何和物理参数模拟了一种准经验公式。; 商继敏王如梅孙金锋刘玉芳; 关键词：总截面经验公式

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