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一种SiCN扩散阻挡层的制备方法: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种SiCN扩散阻挡层的制备方法，将三甲基硅烷、氘代氨和乙硅烷通过等离子气相沉积的方法制备SiCN扩散阻挡层，本申请采用氘代氨代替氨气制备SiCN扩散阻挡层，使得氘代氨在参与SiC...; 陈润泽郑艺胡阳田金金滕鑫胜旷军崔崇杨志强

铜金属化中扩散阻挡层的研究进展: 2025年; 随着第四次工业革命的到来,集成电路尺寸的微小型化是其发展的必然结果。铜互连取代铝互连在集成电路后道工艺中取得了革命性变革,为推动集成电路产业迈向新的发展阶段注入了强劲动力。然而,随着半导体器件尺寸的减小,铜原子向硅界面的快速扩散行为严重阻碍了铜金属化的发展。该领域重要的目标是制造超薄尺寸、低电阻率和热稳定的新型铜扩散阻挡材料,以实现铜/硅界面的可靠耦合。从4个方面总结了铜金属化中扩散阻挡层的研究进展,首先讨论了铜金属化取代铝金属化面临的关键问题及其解决方案;随后,介绍了铜金属化中扩散阻挡层的制备方法,主要包括气相沉积技术、原子层沉积技术和电沉积技术等;然后着重对铜互连中扩散阻挡层的常用材料(金属基、碳材料、自组装分子层及高熵合金)进行了讨论,系统综述了不同材料的阻挡特性,理清了扩散阻挡层材料结构与扩散阻挡性能的构效关系;最后展望了亚纳米厚度的高性能扩散阻挡层的材料筛选策略,以及制备方法的选择。; 李荣斌康旭周滔张如林蒋春霞王璐; 关键词：扩散阻挡层石墨烯高熵合金

集成电路铜互连中含第六副族氮化物的扩散阻挡层: 本发明涉及集成电路铜互连中含第六副族氮化物的扩散阻挡层，属于芯片制造领域。所述扩散阻挡层包括含Cr的扩散阻挡层、含氮化钼的扩散阻挡层、含氮化钨的扩散阻挡层；所述含Cr的扩散阻挡层中含有Cr和N、优选为由Cr和N组成。本发...; 陈秀华赵俊楠曹依琳刘龙思马文会

一种用于铜互连线的低电阻率高失效温度的单层扩散阻挡层: 本发明属于集成电路制造领域，具体涉及一种用于铜互连线的低电阻率高失效温度的单层扩散阻挡层。所述扩散阻挡层为铜互连扩散阻挡层，所述铜互连扩散阻挡层位于铜和硅基底之间，所述铜互连扩散阻挡层同时含有M和N元素，所述M选自Zr、...; 陈秀华刘龙思曹依琳赵俊楠马文会

用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法: 本发明涉及半导体三维封装技术领域，具体而言，涉及用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法，其包括：熔炼高熵合金，高熵合金具有面心立方结构；轧制高熵合金，总压下量为80‑90%，轧制后在高熵合金的再结晶温度退火，空冷；切割得到厚...; 龚玉峰陈正李更吕复强张奎童媛姚大平

用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法: 本发明涉及半导体三维封装技术领域，具体而言，涉及用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法，其包括：熔炼高熵合金，高熵合金具有面心立方结构；轧制高熵合金，总压下量为80‑90%，轧制后在高熵合金的再结晶温度退火，空冷；切割得到厚...; 龚玉峰陈正李更吕复强张奎童媛姚大平

铜互连用扩散阻挡层、铜互连结构及其制备方法: 本发明提供一种铜互连用扩散阻挡层、铜互连结构及其制备方法，通过将钽‑锰合金层以及使其进行氧化反应得到锰氧化膜层作为扩散阻挡层，首先钽‑锰合金层为单层结构，其氧化反应得到的锰氧化膜层厚度很薄，所以有效降低了扩散阻挡层的厚度...; 请求不公布姓名

3D封装凸点电镀技术发展现状与扩散阻挡层的研究进展: 2025年; 随着芯片制造不断朝着高密度、多功能、低成本的方向发展,按照摩尔定律继续缩小的晶体管尺寸已经接近物理极限,并且面会临成本急剧升高的问题。基于芯片垂直互连的3D封装是进一步提升晶体管密度的有效手段,而铜柱凸点是芯片垂直互连的重要组成部分。首先系统介绍了铜柱凸点的基本结构及制备方法,在此基础上对工业应用中十分关心的凸点电镀均匀性控制方法、以及铜柱凸点键合界面反应和可靠性等问题进行了概述。另外,扩散阻挡层作为减缓界面反应的有效手段,能有效提升凸点的可靠性,近年来用于微凸点的高性能阻挡层材料受到了大量学者的关注。因此,在本文的最后,重点对微凸点高性能阻挡层材料研究进展进行了综述。希望通过对凸点电镀技术、可靠性问题及高性能阻挡层的研究进展情况介绍,能够给学术界以及工业界带来一些启发,以推动微凸点以及3D封装技术的发展。; 周湘卓陈沛欣凌惠琴李明; 关键词：3D封装凸点电镀可靠性扩散阻挡层

一种基于事故容错燃料包壳Cr涂层的扩散阻挡层及其制备方法: 本发明涉及核燃料包壳技术领域，具体为一种基于事故容错燃料包壳Cr涂层的扩散阻挡层及其制备方法，扩散阻挡层由钍Th、铌Nb、钼Mo、SiCf/SiC复合涂层中的任意一种构成，其中扩散阻挡层外为纯Cr涂层。本发明中，通过在Z...; 吕琛钟成林李思功于广泳张敬严俊高存旺王大伟薛佳祥王世波虞海亮廖业宏宋忠孝王永静

利用扩散阻挡层的增强EUV下层效应: 本公开内容大致上涉及图案化结构(及用于形成这类结构的方法和装置)，其包括：衬底，其具有部分制造的半导体设备膜堆叠件；辐射敏感成像层，其在衬底上方；下方层，其在辐射敏感成像层下方，下方层包括不稳定物质；硬掩模，其位于下方层...; 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂凯文·M·麦克劳克林杨家岭阿尔潘·普拉文·毛洛瓦拉杜尔迦拉克什米·辛格尔

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