搜索到320篇“ 异质结晶体管“的相关文章
- 一种异质结晶体管的制造方法
- 本申请公开了一种异质结晶体管的制造方法,包括:S1:提供一衬底,衬底中形成有浅沟槽隔离以定义出有源区,衬底表面形成有第一电介质层和第二电介质层;S2:形成叠层结构;S3:形成第五电介质层;S4:去除高于外延层的第五电介质...
- 刘丙永黄景丰陈曦
- 一种可增强图像对比度的二维异质结晶体管的器件及其制备方法
- 本发明公开了一种可增强图像对比度的二维异质结晶体管的器件及其制备方法,由下至上依次衬底、GaS薄层、WS<Sub>2</Sub>薄层、金电极。采用反复黏贴的方法制备二维GaS薄层和WS<Sub>2</Sub>薄层,转移到...
- 辛巍 段鑫宇 仲玮恒 刘玉庆 孙照杰 景佳薇
- 锗硅异质结晶体管的制备方法
- 本申请提供一种锗硅异质结晶体管的制备方法,先对衬底进行高温烘烤,然后采用非选择性外延工艺形成缓冲层,其中,在该非选择性外延工艺中,工艺温度为500℃~600℃;工艺腔室的压力为10Torr~100Torr;使用的硅源气体...
- 包赛赛马寒骏王勇卢明辉周康杨德明杜明锋张守龙
- 一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法及装置
- 本发明提出的一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法及装置,包括:检测多个锗硅异质结晶体管的电学性能,筛选出待测器件;将待测器件分组后与多个PCB板分别对应连接,得到多个待测器件组;将待测器件组固定在真空腔内部的无...
- 郭红霞胡嘉文张晋新冯亚辉欧阳晓平钟向丽白如雪刘益维
- 用于低能耗人工视觉系统的具有互补光调制和低功耗的双极突触有机/无机异质结晶体管
- 2024年
- 光电突触晶体管将光传感和突触功能集成到单个器件中,在视觉信息采集、识别、记忆和处理的神经形态计算具有显著的优势.然而,现有光电突触的权重更新主要是基于光刺激和电刺激分别调节突触的兴奋和抑制.这种方式严重限制了器件的处理速度和应用场景.在这项工作中,我们提出了双极突触有机/无机异质结晶体管(BSOIHT),可以有效地模拟光刺激下的双向(兴奋/抑制)突触行为.此外,通过优化电极接触位置以及电极材料,晶体管的载流子注入得到了显著改善,使得突触事件功耗降至2.4 fJ.此外,采用BSOIHT构建的神经形态视觉系统,有效地促进了图像预处理,将识别准确率从44.93%大幅提高到87.01%.这为构建低能耗的人工视觉系统提供了新的途径.
- 刘常飞高昌松黄伟龙连敏锐许晨晖陈惠鹏郭太良胡文平
- 栅控横向双极结/异质结晶体管
- 本发明涉及栅控横向双极结/异质结晶体管。本公开涉及半导体结构,更具体地涉及栅控晶体管及制造方法。该结构包括:发射极区;集电极区;基极区,其位于发射极区和集电极区的相对侧;以及栅极结构,其由主体区和支脚区组成,主体区位于发...
- M·杨J·辛格A·马丁J·J·埃利斯-莫纳甘
- 具有垂直结构的异质结晶体管
- 本发明涉及一种异质结场效应晶体管(1),其包括:‑形成电子气体层或空穴层(15)的III‑N型第一和第二半导体层(14、13)的堆叠;‑与该气体层电接触的第一传导电极(21)以及第二传导电极(22);‑分离层(12),其...
- 勒内·埃斯科菲耶泽格·卢多特
- 在硅基自对准双极工艺中集成锗硅异质结晶体管的方法及半导体器件
- 本发明提供了一种在硅基自对准双极工艺中集成锗硅异质结晶体管的方法及半导体器件,在本发明中,基于工艺制程步骤的巧妙设计,在硅基自对准双极工艺中同时集成了锗硅异质结晶体管的工艺制程,在不显著增加工艺复杂度的情况下,利用单一制...
- 钟怡刘青王飞张静冉明黄东裴颖李智囊
- 基于零维碳量子点/二维MoS2混合维异质结晶体管的视觉失忆脉冲光电治疗模拟被引量:1
- 2023年
- 失忆症是一种临床常见的疾病,表现为近期记忆的丧失以及获得新记忆能力的全面受损,它严重影响了人类的正常生活.目前,虽然草药干预、蛋白质合成抑制和激素替代可以预防或逆转失忆行为,但这些疗法都相对昂贵且效率低下.本文利用一种先进的光电协同脉冲疗法,基于零维碳量子点/二维MoS_(2)混合维异质结晶体管对视觉失忆行为治疗进行了模拟.其中,光电脉冲可以诱导足够多的电子来填充陷阱态并聚集于零维/二维混合维界面.同时,该异质结晶体管成功实现了生物中可重构的记忆/失忆行为和可调节的视觉记忆巩固功能.更为重要的是,通过实验还证明了光电协同脉冲修复可能对视觉失忆进行有效治疗.这项工作为医学记忆诊断系统、人机实时交互等领域的发展提供了一个新契机.
- 谢叮咚李幼真何军蒋杰
- 关键词:AMNESIA
- 一种锗硅异质结晶体管的质子引发单粒子效应的测试方法
- 本发明涉及微电子领域,具体涉及一种锗硅异质结晶体管的质子引发单粒子效应的测试方法,其特征在于,包括:在常温条件下,对第一待测锗硅异质结晶体管组进行质子辐照,获得单粒子效应产生的第一瞬态脉冲数据;在预设温度下,对第二待测锗...
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- 郝跃

- 作品数:2,605被引量:1,235H指数:13
- 供职机构:西安电子科技大学
- 研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
- 王冲

- 作品数:178被引量:89H指数:6
- 供职机构:西安电子科技大学
- 研究主题:高电子迁移率晶体管 电极 ALGAN/GAN HEMT器件 势垒层
- 马晓华

- 作品数:863被引量:143H指数:6
- 供职机构:西安电子科技大学
- 研究主题:电极 势垒层 高电子迁移率晶体管 氧化镓 栅电极
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- 作品数:157被引量:283H指数:8
- 供职机构:北京工业大学
- 研究主题:HBT 半导体激光器 硅 可靠性 异质结晶体管
- 郑雪峰

- 作品数:240被引量:81H指数:6
- 供职机构:西安电子科技大学
- 研究主题:氧化镓 电极 势垒层 场板 击穿电压