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一种单向平面二极管的TVS器件及其制造方法
本发明提供一种单向平面二极管的TVS器件，包括基板，所述基板被划分为元胞区和终端区，所述元胞区和所述终端区之间设有过渡区，所述基板自下而上包括重掺杂第一导电类型的衬底、轻掺杂第一导电类型的外延，所述外延上设置开口向上的沟...
陈美林 张轩瑞
一种高浪涌能力的平面二极管及其制备方法
一种高浪涌能力的平面二极管及其制备方法。涉及一种半导体器件。包括：衬底；P+衬底区，所述P+衬底区从衬底的顶部向下扩散，位于所述衬底内；所述衬底的顶部靠近边缘处设有环形豁口；所述环形豁口与P+衬底区的顶面之间设有弧形肩部...
游佩武吴迪崔丹丹裘立强王毅
一种基于碳纳米管插入层实现金属／锗欧姆接触的平面二极管阵列及其制作方法
本发明涉及新型半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于碳纳米管插入层实现金属/锗欧姆接触的平面二极管阵列及其制作方法。该平面二极管是由一个欧姆接触异质结和一个肖特基接触异质结组成，欧姆接触异质结由顶部金属电极、碳纳米管...
刘驰魏玉宁王肖月刘畅孙东明成会明
一种单向平面二极管的TVS器件及其制造方法
本发明提供一种单向平面二极管的TVS器件，包括基板，所述基板被划分为元胞区和终端区，所述元胞区和所述终端区之间设有过渡区，所述基板自下而上包括重掺杂第一导电类型的衬底、轻掺杂第一导电类型的外延，所述外延上设置开口向上的沟...
陈美林 张轩瑞
一种低温度系数平面二极管芯片结构
本实用新型提供的一种低温度系数平面二极管芯片结构；包括P单晶片，所述P单晶片上分别加工有一个PN结和一个NP结，PN结和NP结表面均加工有铝层，所述PN结和NP结反向连接。本实用新型通过采用较低掺杂浓度的P单晶片制作两个...
袁正刚王光磊陈侃梁江华付航军
一种防止银迁移的平面二极管芯片
本发明涉及涉及一种平面二极管芯片，特别是一种防止银迁移的平面二极管芯片，包括第一半导体层、设于第一半导体层表面的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层提供二极管结构；在第二半导体层外周的第一半导体层表面设有保护...
邱志述谭志伟陈鹏
一种低温度系数平面二极管芯片结构及其生产工艺
本发明提供的一种低温度系数平面二极管芯片结构及其生产工艺；包括P单晶片，所述P单晶片上分别加工有一个PN结和一个NP结，PN结和NP结表面均加工有铝层，所述PN结和NP结反向连接。本发明通过采用较低掺杂浓度的P单晶片制作...
袁正刚王光磊陈侃梁江华付航军
包括耦合到毛细管/外壳纤维中的以圆柱形布置的平面二极管环的纤维光子引擎
一种光子源可以具有衬底、安置在所述衬底上方的聚焦透镜和安置在所述衬底上的多个光源。每个光源可以具有安置在所述衬底上的反射镜，所述反射镜被配置成反射安置在所述衬底上的光发射器发射的经准直光束。所述多个反射镜可以以限定第一直...
I·马希德C-H·王P-C·李
一种平面二极管的加工工艺
一种平面二极管的加工工艺。涉及平面二极管，尤其涉及一种平面二极管的加工工艺。提供了一种方便加工，提高产品质量和使用寿命的平面二极管的加工工艺。本发明在工作中，包括以下步骤：初始氧化、有源区光刻、有源区预沉积、初始氧化、高...
游佩武王毅
平面二极管的快速安装结构
本实用新型提供平面二极管的快速安装结构，所述的二极管包括壳体、阳极引线和阴极引线；所述的阳极引线和阴极引线穿透壳体的上端面并伸入到壳体内，阳极引线和阴极引线的上端部位还设置有凸台，所述的阳极引线的下端连接有缓冲层，所述的...
孙志文
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胡东霞
作品数：391被引量：269H指数：9
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张雄军
作品数：145被引量：86H指数：6
供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
研究主题：电光开关 等离子体电极 电光晶体 激光放大器 普克尔盒
张永辉
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供职机构：中国工程物理研究院应用电子学研究所
研究主题：二极管 重复频率 电子束 强流电子束 脉冲变压器
孙会芳
作品数：57被引量：103H指数：6
供职机构：北京应用物理与计算数学研究所
研究主题：磁绝缘线振荡器 数值模拟 高功率微波 值模拟 电磁
罗亦明
作品数：8被引量：32H指数：2
供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
研究主题：光线追迹 二极管 保形 放大系统 放大器