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射频反应磁控溅射制备MoS2薄膜结构及光学性能被引量：1: 2020年; 采用射频反应磁控溅射技术,在不同气压下制备了二硫化钼薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、紫外可见光光谱仪等对薄膜的表面形貌、结构和光学性能进行了表征、分析。结果表明:利用射频反应磁控溅射制备的MoS2薄膜,表面平整、颗粒均匀、致密,缺陷少;沉积气压1.2Pa条件下制备的薄膜结晶度最好;薄膜的光学带隙随沉积气压先增大后减小,1.2Pa时光学带隙最大,为1.69e V。薄膜光学带隙的变化是由沉积气压引起薄膜结晶度变化和形成缺陷不同所致。; 韦贤露巩晨阳肖剑荣; 关键词：射频反应磁控溅射晶体结构光学带隙

射频反应磁控溅射生长ZAO薄膜的光电性质被引量：1: 2019年; 采用RF反应磁控溅射技术在不同制备条件下制备了Al掺杂ZnO薄膜(ZAO),研究了不同条件下ZAO薄膜的光电性质.结果表明,薄膜电阻主要由晶界电阻决定,且导电性随Ar∶O2中O2含量增加而减小.薄膜具有强烈的紫外吸收特性,带隙大多超过3.3 eV,可见光区的透明性大于80%,并且透过率和Eg随Ar∶O2中O2含量的增加而增加,薄膜在紫光区域具有较强的光致发光特性,掺铝使光发射峰增强并蓝移.; 许飞朱江转陆慧罗锻斌谢海芬; 关键词：ZAO薄膜磁控溅射基底温度光电性质

氧化镍薄膜的射频反应磁控溅射制备与电致变色性能行为: 近年来，能源问题已经成为了制约社会发展的主要问题之一，减少能源消耗是解决能源问题的重要手段。在此背景下，电致变色智能窗应运而生。目前，制备电致变色智能窗最为严峻的考验是制备性能优异的电致变色材料，它要求材料具备高效的响应...; 侯帅; 关键词：智能窗电致变色射频反应磁控溅射掺杂改性

射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的工艺研究被引量：3: 2018年; Zn O因其制备成本低和优异的压电性能在薄膜体声波器件中得到广泛应用。本文采用射频反应磁控溅射法,以Au为底电极,在硅(100)衬底上沉积了氧化锌(Zn O)薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、台阶仪对不同工艺参数下制得薄膜的晶体结构、表面形貌和厚度进行了表征。研究了溅射功率、溅射气压和溅射气氛对Zn O薄膜结构影响,讨论了溅射功率和薄膜形貌及厚度的关系。结果显示在溅射功率为200 W、溅射气压0.8 Pa、氧氩体积流量比为0.4时,Zn O薄膜的c轴取向性最高,表面粗糙度最低,可用于压电器件。; 常鸿许绍俊; 关键词：ZN 反应溅射表面形貌薄膜厚度

射频反应磁控溅射制备的SnO_2及SnO_2:F薄膜结构与透明导电性能被引量：2: 2017年; 以Sn和Sn+SnF_2为靶材,采用射频(RF)反应磁控溅射法在150℃不同O_2流量下制备了厚度约为300 nm的SnO_2和SnO_2:F薄膜。通过X射线衍射、Hall效应测试系统和紫外–可见分光光度计研究了两种薄膜的结构和透明导电性能。结果表明:随O_2流量增加,SnO_2薄膜由非晶变为多晶,择优取向从(101)面过渡到(211)面,薄膜电阻先减小后增大,平均透光率逐渐上升。随O_2流量增加,SnO_2:F薄膜结构与透明导电性能的变化规律与SnO_2薄膜类似,SnO_2:F薄膜的择优取向依次为(002)、(101)和(211)面,由于F掺杂,SnO_2:F薄膜的载流子浓度和迁移率明显增加,电阻率降低,同时平均透过率有所提高。目前,在合适的O_2流量下,SnO_2:F薄膜可达到的最低电阻率为4.16×10^(–3) ?·cm,同时其平均透光率为86.5%。; 杨玉婷祝柏林谢挺张俊峰吴隽甘章华刘静; 关键词：射频反应磁控溅射氟掺杂

射频反应磁控溅射制备AlN多晶薄膜及其择优取向研究被引量：3: 2016年; 采用RF反应磁控溅射在Si(111)基片上制备了多晶AlN薄膜,研究了工作气压对AlN薄膜晶面择优取向的影响。利用台阶仪、X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(FTIR)对AlN薄膜的沉积速率、晶体结构、化学结构及成分进行了表征。结果表明:工作气压对AlN薄膜晶面择优取向具有十分显著的影响,当工作气压低于0.6 Pa时,薄膜呈现(002)晶面择优取向;当气压增加到1 Pa时,AlN薄膜呈现(100),(002)混合晶面取向;当工作气压为1.5 Pa时,(002)晶面衍射峰消失,薄膜呈现(100)晶面择优取向。根据分析结果,提出了工作气压对AlN薄膜择优取向的影响机制,其次,在AlN薄膜的FTIR光谱中,Al-N键振动在波数为678 cm-1处有强烈的吸收峰,Al-N振动吸收峰包含A1(TO)模式以及E1(TO)模式,分别位于612,672cm-1附近,A1(TO)模式与E1(TO)模式振动吸收峰的积分面积之比与AlN薄膜的择优取向有关。结果显示FTIR技术可以作为XRD的补充手段,用于表征多晶AlN薄膜的择优取向。; 谭伟徐军王行行陆文琪; 关键词：ALN 红外吸收光谱反应磁控溅射

射频反应磁控溅射法制备Ti--O、Ti--Al--O薄膜及其性能研究: 316L不锈钢具有较好的耐蚀性和优异的机械性能，被广泛应用于制备心脏支架，但裸体支架长期在人体中服役会出现在支架的表面形成血栓以及支架被腐蚀释放金属毒性离子Ni2+，Cr3+和Cr6+等现象。Ti-O和Ti-Al-O复合...; 王玉莹; 关键词：射频反应磁控溅射耐蚀性生物相容性; 文献传递

射频反应磁控溅射制备高频用Fe-N薄膜结构与磁性的研究: 随着电子信息产业的迅速发展,要求电子元器件向小型化、高频化和集成化的方向发展,这便对作为电子元器件的核心即软磁材料提出了更高的要求。目前,研究具有高磁导率(μ)、低矫顽力(Hc)、高饱和磁化强度(4πMs)、高电阻率(p...; 李晓宇; 关键词：FE-N薄膜射频反应磁控溅射微结构磁特性; 文献传递

射频反应磁控溅射柔性AZO/PET薄膜的光学性质: 本文采用射频反应磁控溅射技术在柔性PET衬底上成功地制备了掺杂Al的ZnO薄膜（ZnO: Al/AZO薄膜）。分析测试了不同溅射条件下生长的柔性AZO/PET薄膜的结构和光学特性，研究其生长过程和发光机制，优化工艺条件，...; 郑志佳; 关键词：光学特性

射频反应磁控溅射法氧化钒薄膜的制备及其性能研究被引量：1: 2013年; 采用射频反应磁控溅射法在普通玻璃衬底上沉积氧化钒薄膜,在高纯N2环境中,不同温度下(350℃、400℃、450℃、500℃)热处理60min,发现当热处理温度为400℃时,获得具有相变特性的VO2薄膜,其红外光透光率和电导率发生显著变化。薄膜相变温度为55℃左右,相变前后光透过率变化了13%,电阻变化了1.8个数量级。; 陈颖超刘彭义唐振方叶勤; 关键词：VO2薄膜射频磁控溅射相变

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