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一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法
本发明提供一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该复合芯片结构通过导电塞将以宽禁带半导体材料为主体的宽禁带半导体耐压单元与在传统半导体材料上制作的开关控制单元进行垂直集成，使得复合芯片结构既具...
袁俊
一种宽禁带半导体功率MOS芯片及其制备方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，提供了宽禁带半导体功率MOS芯片及其制备方法。本发明采用受力产生电信号的材料(简称力电材料)在宽禁带半导体功率MOS芯片(简称MOS芯片)上设置了结温检测区：如果对力电材料施加压力，它便...
周洋袁雄
一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法。该终端结构包括依次层叠设置的外延层一、掩埋层和外延层二，终端结构的外周从外延层二向下刻蚀形成终端沟槽，外延层二内具有主结区，若干个场限环依次环绕在主...
成志杰袁俊郭飞王宽陈伟吴阳阳
宽禁带半导体元胞结构及半导体器件
本申请涉及半导体领域，公开了一种宽禁带半导体元胞结构及半导体器件，其中，宽禁带半导体元胞结构包括：衬底、外延层和空穴注入层；外延层包括沿第一方向层叠设置的异质结结构、空穴收集层和空穴阻挡层；空穴注入层层叠设置于外延层；源...
魏进杨俊杰常昊
一种宽禁带半导体沟槽栅MOSFET结构及其制作方法
本发明提供一种宽禁带半导体沟槽栅MOSFET结构及其制作方法，该结构中N+电流扩展层位于N‑外延层上部区域内；P‑well区位于N+电流扩展层上，源极N+区位于P‑well区上；多个沟槽栅电极沿水平方向间隔布设，位于中部...
袁俊成志杰郭飞王宽吴阳阳陈伟
一种宽禁带半导体沟槽栅MOSFET结构及其制作方法
本发明提供一种宽禁带半导体沟槽栅MOSFET结构及其制作方法，该结构中N+电流扩展层位于N‑外延层上部区域内；P‑well区位于N+电流扩展层上，源极N+区位于P‑well区上；多个沟槽栅电极沿水平方向间隔布设，位于中部...
袁俊成志杰郭飞王宽吴阳阳陈伟
一种宽禁带半导体沟槽IGBT器件结构及其制作方法
本发明提供一种宽禁带半导体沟槽IGBT器件结构及其制作方法，属于半导体器件技术领域。该IGBT器件包括依次叠加的集电极、集电区、缓冲层和外延层，以及位于外延层之上的发射极。外延层中设置有埋层和阱区；还设置有至少一个贯穿阱...
成志杰袁俊郭飞王宽吴阳阳陈伟
一种宽禁带半导体复合高压垂直功率芯片及制作工艺
本发明公开一种宽禁带半导体复合高压垂直功率芯片及制作工艺，芯片包括至少一个元胞结构单元，该元胞结构单元包括衬底、宽禁带薄层材料制成的横向集成的高耐压层、硅薄膜层、连接在硅薄膜层上的硅CMOS逻辑及开关控制单元、第一多层介...
袁俊
一种宽禁带半导体亚表面损伤层厚度的检测方法、装置
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种宽禁带半导体亚表面损伤层厚度的检测方法、装置，通过将包含截面的宽禁带半导体晶圆片结构检测片作为工作电极连接作为对电极的金属催化剂，并浸泡入刻蚀液，再采用特定波长的入射光照射到截面上，在...
耿文浩王蓉邵秦秦皮孝东杨德仁
硅控制单元和宽禁带半导体耐压单元复合器件结构及其制作方法
本发明具体涉及一种硅控制单元和宽禁带半导体单元复合器件结构及其制作方法。该器件结构包括衬底；外延层，外延层制作在衬底上且所述外延层为宽禁带半导体材料，所述外延层的上表面制作有电子隧穿层，所述外延层划分为耐压层构造区域和电...
袁俊陈伟郭飞成志杰王宽吴阳阳徐少东朱厉阳彭若诗李明哲
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李富友
作品数：269被引量：272H指数：10
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黄春辉
作品数：304被引量：718H指数：15
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研究主题：电致发光 稀土配合物 配合物 太阳能电池 铕配合物
陈刚
作品数：123被引量：156H指数：7
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC SIC_MESFET MESFET
黎大兵
作品数：267被引量：52H指数：4
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
研究主题：ALGAN 氮化物 紫外探测器 石墨烯 衬底
柏松
作品数：82被引量：128H指数：6
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：4H-SIC SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET