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一种基于分子束外延法的铁酸铋纳米岛的制备方法及其产品和应用: 本发明公开了一种基于分子束外延法的铁酸铋纳米岛的制备方法，包括：将衬底传入分子束外延MBE生长腔室内，衬底温度≥Bi源的蒸发温度；将Bi源和Fe源升温至蒸发温度，并调节Bi源和Fe源的束流大小；采用纯臭氧作为外延生长气氛...; 刘可凡洪子健黄玉辉吴勇军

卤化物气相外延法生长外延厚膜的方法及生长固定装置: 一种卤化物气相外延法生长外延厚膜的方法及生长固定装置，预处理过程：将固定装置和基台紧扣在一起，装入生长炉内；抽炉内气压；向炉内充入气相外延生长载气，高温生长氮化物多晶，使氮化物多晶包覆衬在底固定装置上；生长结束后自然降温...; 王再恩王英民程红娟王双孙科伟张嵩董增印李贺

一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法: 本发明公开了一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术领域，制备时采用表面为向外突出的曲面的衬底，所述曲面顶点到水平面的高度为d，0.05≤d≤0.15mm，曲率半径R为540mm...; 李俊冯辉煜李阳蒋金秀魏源魏占涛刘庆元帅世荣左林森倪琴菲肖礼康蓝江河杨天颖

雾化学气相外延法异质外延Ga_(2)O_(3)薄膜的生长特性: 2024年; 氧化镓各晶相的应用广泛,亚稳相只能通过外延的手段获得。选择合适的生长方法和提高异质外延水平仍是学术界一直探讨的问题。采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在蓝宝石衬底上异质外延生长了氧化镓薄膜,通过优化工艺条件实现了物相调控,系统研究了外延膜的结晶质量、组分和表面形貌,以及生长速率变化规律。同时,探究了Mist-CVD生长系统中,Ga_(2)O_(3)外延膜的晶体成核及晶相控制机理。在原有α-Ga_(2)O_(3)生长工艺的基础上,制备了α/ε混相薄膜、ε-Ga_(2)O_(3)纯相薄膜,呈三维岛状生长模式。在ε-Ga_(2)O_(3)纯相薄膜的基础上,随着氧气流量的增加,结晶质量先稳定后下降,生长速率先增加后降低,最高达到3μm/h。通过退火,获得了β-Ga_(2)O_(3)纯相薄膜,表面粗糙度由10.80 nm降低至5.42 nm。在利用Mist-CVD法进行不同晶相外延调控及其生长机理研究方面具有一定借鉴意义。; 谢佳慧穆文祥李竹程李光清李阳贾志泰陶绪堂; 关键词：氧化镓蓝宝石衬底

一种离子层外延法合成高熵合金氧化物的制备方法: 本发明提出一种离子层外延法合成高熵合金氧化物的制备方法，包括：步骤1：配置表面活性剂；步骤2：配置金属盐前驱体溶液；步骤3：配置尿素溶液；步骤4：配置反应前驱体溶液；步骤5：获取高熵合金氧化物；步骤6：用镊子夹取带有氧化...; 赵芸鹤杨俊圆李思琦刘松吴小亮韩淳袁园

基于外延法的滤红光玻璃折射率测量方法、系统及装置: 本发明公开了一种基于外延法的滤红光玻璃折射率测量方法、系统及装置，所述方法包括以下步骤：采集滤红光玻璃在0.4861um、0.5461um和0.5876um波长下的折射率数据，对其进行多项式拟合得到波长与折射率的关系式；...; 李辉吴志强朱大鹏周芳魏周超

基于选区外延法的单片异质集成GaN/Si的研究: 2024年; 将GaN器件与Si集成电路进行单片异质集成是当前微电子领域的前沿研究方向之一,而直接从材料定义系统的选区外延法是其中最具潜力的技术途径。针对选区外延法的实施过程中,选区外延GaN的高温过程会严重影响已制Si集成电路功能的问题,提出一种MOSFET沟道热扩裕量预留技术,并通过理论分析和仿真实验验证了该技术的可行性与有效性。研究结果克服了选区外延法的固有缺陷,能够在实现GaN/Si单片异质集成的同时,保障Si集成电路的功能,为单片异质集成GaN/Si技术的发展提供了有益新思路。; 程骏骥戚翔宇王思亮王鹏黄伟胡强杨洪强

一种液相外延法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置: 本发明涉及一种液相外延法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置，在碳源料仓内放置碳源，在生长仓内放置硅源，将籽晶贴附于籽晶轴一端处并伸入到生长仓内，加热碳源料仓使碳源升华产生气态单质碳，加热生长仓使硅源形成熔融态，将气态单质碳...; 雷斌朱常锋高鹏举廖炳文李新德梁业明

一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法: 本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法，属于磁性功能材料技术领域，该方法包括：以GGG或SGGG为衬底，采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜，在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理...; 帅世荣李阳李俊魏占涛刘庆元陈运茂游斌蓝江河肖礼康

一种通过范德华外延法探测薄膜挠曲电效应的装置及方法: 本发明公开了一种通过利用云母基氧化膜的范德华外延法探测薄膜挠曲电效应的装置及方法，该装置包括云母衬底、以云母衬底通过范德华外延法生长的薄膜材料、上下表面电极、位移端、信号采集器、固定端，其中薄膜材料与上下表面电极紧密连接...; 舒龙龙王支国柯善明张振舒胜文饶郑刚李纯纯

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