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- 本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质结双极晶体管。HBT的集电极层包含高浓度集电极层和配置于其上的低浓度集电极层。低浓度集电极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层。基极层的半导体材...
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- 异质结双极晶体管
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- 异质结双极晶体管
- 本申请公开了一种异质结双极晶体管，属于半导体技术领域。该异质结双极晶体管包括：集电极；基极，位于所述集电极的一侧；发射极，位于所述基极背离所述集电极的一侧；其中，所述基极包括超晶格结构，所述基极的带隙小于所述发射极的带隙...
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- 本申请公开了一种异质结双极晶体管，属于半导体技术领域。该异质结双极晶体管包括：集电极；基极，位于所述集电极的一侧；发射极，位于所述基极背离所述集电极的一侧；其中，所述发射极包括第一超晶格结构，所述发射极的带隙大于所述基极...
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- 本申请提供了一种双异质结双极性晶体管。双异质结双极性晶体管包括依次叠层设置的N型GaAs子集电极层、N型GaAs集电极层、P型基极层、N型GaInP发射极层、N型InGaAs接触层，P型基极层为P型GaAs<Sub>（1...
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- 双异质结双极晶体管及其制备方法
- 本发明提供一种双异质结双极晶体管及其制备方法。该方法包括：在待制备的圆片上制作发射区电极，并基于发射区电极对圆片中的发射区进行湿法腐蚀，以使圆片中发射区和基区之间的第一分界层暴露；在第一分界层的上表面制作基区电极，并基于...
- 付兴中陈卓周国崔雍孙虎胡多凯高三磊高昶王国清张力江
- 异质结双极晶体管
- 本发明涉及异质结双极晶体管。本发明提供一种能够抑制HBT的输入输出特性的线性度降低的HBT。在基板上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。集电极层包含渐变型半导体层，该渐变型半导体层的电子亲和力从接近基极层的侧朝向远离基极...
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- 2022年
- 应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。
- 刘涛刘燚王冯涛
- 关键词：梯度掺杂
- 异质结双极晶体管
- 本发明提供一种能够抑制HBT的输入输出特性的线性度降低的HBT。在基板上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。集电极层包含渐变型半导体层，该渐变型半导体层的电子亲和力从接近基极层的侧朝向远离基极层的侧增大。基极层的接近集电...
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