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基于碳酸酯辅助的采用单质硅粉制备正硅酸烷基酯和二氧化硅的工艺: 本发明公开了一种基于碳酸酯辅助的采用单质硅粉制备正硅酸烷基酯和二氧化硅的工艺，本发明以单质硅粉为原料、碳酸酯为循环介质，在固体催化剂的作用下形成正硅酸烷基酯（简称为硅酸酯）和一氧化碳，硅酸酯水解后得到二氧化硅和相应的醇，...; 赵铁均张延风周锐潘月申

单质硅粉对堇青石-莫来石匣钵孔结构和抗侵蚀性能的影响: 2025年; 为了提高锂离子电池三元正极材料(LiNixCoyMn1-x-yO_(2),LNCM)工业中堇青石-莫来石匣钵的使用寿命,将单质Si粉引入到堇青石-莫来石试样中,研究了Si粉含量对试样烧结性能、孔径分布、力学性能、热震稳定性及抗LNCM侵蚀性能的影响。结果表明:Si粉含量由0%(质量分数,下同)增加至5%,高温下试样中液相增加,促进了物质传输及烧结过程,骨料与基质间结合增强,试样显气孔率及孔径降低,强度及抗热震性能提高;增加Si粉含量至7%,基质因液相生成过多发生较大收缩,骨料与基质间隙增大,试样强度及抗热震性能降低。LNCM与试样侵蚀反应主要生成LiAlSiO_(4)和(Mg,Ni,Co,Mn)Al_(2)O_(4)复合尖晶石,其中生成LiAlSiO_(4)的侵蚀反应伴随约32%的体积膨胀,导致试样开裂及剥落。Si粉含量由0%增加至5%,试样因显气孔率及孔径降低,LNCM渗透通道减少,抗侵蚀性能显著提高;增加Si粉含量至7%,虽然试样孔径增大,但基质形成连续致密结构,抗侵蚀性能依然略有改善。综合来看,单质Si粉引入量为5%的试样性能最佳:显气孔率为23.6%,边缘及中心平均孔径分别为1.5和1.7μm,常温抗折强度及3次热冲击后残余强度保持率分别为15.6 MPa和86.1%,侵蚀层平均厚度为685μm。; 刘伟正李亚伟徐义彪; 关键词：堇青石-莫来石 SI粉孔径分布抗侵蚀性能

一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐: 本实用新型公开了一种半导体晶圆单质硅的提纯缓冲罐，涉及单质硅提纯技术领域，包括底板，所述底板顶部的一侧固定连接有提纯机构，所述底板顶部的另一侧固定连接有冷凝机构，所述底板顶部的中部设置有缓冲机构。本实用新型通过缓冲机构的...; 胡佳谢方辉

一种利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法: 本发明属于X射线衍射分析技术领域，涉及一种利用XRD分析硅铁球中单质硅含量的方法，包括：将参比物粉末与纯硅粉末混合均匀；用XRD扫描所述混合粉末，根据得到的衍射图谱获取参比物粉末与纯硅粉末的定量衍射峰强度，并计算参比物粉...; 刘浩徐梅廉晓洁赵振铎谷宇

一种硅铁、硅铁球、高碳硅中单质硅和二氧化硅含量的测定方法: 本发明公开了一种硅铁、硅铁球、高碳硅中单质硅和二氧化硅含量的测定方法，属于钢铁分析技术领域。该测定方法包括全硅含量测定、单质硅和可溶性硅化合物含量测定、单质硅含量测定，通过分别测全硅、单质硅和可溶性硅化合物、单质硅的含量...; 刘博士陈树伟宋元仲林鸿亮刘光勇杨光钟治政赖雪芳吴航

一种具有单质硅掺杂层的石英坩埚及其制备方法与应用: 本发明公开了一种具有单质硅掺杂层的石英坩埚及其制备方法与应用，属于坩埚技术领域。该石英坩埚包括由外至内依次设置的气泡层、单质硅掺杂层和透明层；单质硅掺杂层的制备原料包括第一石英砂和单质硅粉末；单质硅粉末在单质硅掺杂层的制...; 陈超李洪操周勇吴伟华陶飞方志远王洋洋

一种具有单质硅掺杂层的石英坩埚及其制备方法与应用: 本发明公开了一种具有单质硅掺杂层的石英坩埚及其制备方法与应用，属于坩埚技术领域。该石英坩埚包括由外至内依次设置的气泡层、单质硅掺杂层和透明层；单质硅掺杂层的制备原料包括第一石英砂和单质硅粉末；单质硅粉末在单质硅掺杂层的制...; 陈超李洪操周勇吴伟华陶飞方志远王洋洋

一种自动化检测单质硅的装置及方法: 一种自动化检测单质硅的装置及方法，涉及检测领域。自动化检测单质硅的装置包括多个用于支撑并加热烧杯的加热套、用于对加热套支撑烧杯内加水的冲水装置及控制器；冲水装置包括储水罐、顶部与储水罐底部连接的出水管、设于出水管上的电磁...; 张蕾陈宁娜邓骆鹏程西瑶魏春阳许超

一种氮气等离子改性的单质硅粉体的制备方法: 本发明提供一种氮气等离子改性的单质硅粉体的制备方法，其包括以下步骤：将微米级单质硅粉体置于等离子体设备腔室内，调整电极使得两端的正负极保持间距，除去腔室内的空气，再向腔室内通入氮气；待等离子体设备腔室内压力稳定后，打开高...; 马志远朱吉鹏欧阳博

一种无定形单质硅球制备上料机构: 本实用新型涉及硅球制备技术领域，且公开了一种无定形单质硅球制备上料机构，漏斗的下面固定安装有筛框，筛框的正面、后面的下方固定安装有支撑架，支撑架的下方固定安装有接料槽，接料槽的内部设置有推料结构，筛框的内部与外表面设置有...; 刘志国高红丽

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