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半导体表面
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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
半导体
表面
缺陷的处理方法和
半导体
器件的制备方法
该发明公开了一种
半导体
表面
缺陷的处理方法和
半导体
器件的制备方法,所述
半导体
表面
缺陷的处理方法包括:将
半导体
器件置于等离子体处理设备内,所述
半导体
器件包括衬底和形成在所述衬底
表面
的沉积层,所述沉积层形成有气泡;对所述沉积层...
江向红
一种
半导体
表面
杂质处理装置及其方法
本发明提供了一种
半导体
表面
杂质处理装置及其方法,涉及
半导体
清洗领域,包括外壳体和支撑脚,所述外壳体内部的中端为干燥仓,所述干燥仓的左右两侧分别为干法清洗仓以及湿法清洗仓,所述干法清洗仓和湿法清洗仓均为两端带有中空半球形的...
茆宏
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一种
半导体
表面
的镀膜方法
本发明公开了一种
半导体
表面
的镀膜方法,包括:对
半导体
基体进行预清洗处理;在真空室内,对预清洗后的
半导体
基体进行分阶段镀膜处理,以在
半导体
基体的
表面
分阶段沉积形成若干层硅膜;对
半导体
基体的
表面
再次进行镀膜处理,以在所述硅膜...
刘晓明
一种
半导体
表面
的加工方法
本发明公开了一种
半导体
表面
的加工方法,包括:将待加工的
半导体
放置在金刚石划线机的工作台上,
半导体
具有第一
表面
和与第一
表面
相对的第二
表面
,第一
表面
与工作台接触,金刚石划线机上设有金刚石刀;控制金刚石刀在第二
表面
上分别进行第...
张俊群
一种
半导体
表面
处理方法
本发明公开了一种
半导体
表面
处理方法,包括:对
半导体
基体的
表面
进行清洗处理;在真空室内,通过溅射硅靶在清洗后的
半导体
基体的
表面
沉积形成硅涂层;向真空室内通入氩气和甲烷,以0度角度在所述硅涂层的
表面
沉积形成类金刚石涂层;其中...
祁延刚
一种利用激光检测
半导体
表面
平整度的设备
本发明公开了一种利用激光检测
半导体
表面
平整度的设备,涉及
半导体
检测技术领域,包括底座,所述底座的上端固定连接有安装座,所述底座的上
表面
开设有通槽,激光发射器,且所述激光发射器设置在安装座上,固定座,所述固定座设置在底座的...
雷志毅
一种用于
半导体
表面
图形金属化的高稳定型化学钯镀液
本发明公开了一种用于
半导体
表面
图形金属化的高稳定型化学钯镀液,包含如下浓度含量的组分:含氨钯盐0.5‑3.5g/L、主络合剂5‑20g/L、辅助络合剂0.1‑20g/L、还原剂1‑8g/L、复合稳定剂5‑50g/L和均一...
姚玉
邱雁强
在
半导体
表面
中选择性掺入掺杂剂原子的方法
本发明涉及用于在第IV族
半导体
晶格的
表面
部分中嵌入确定数量的掺杂剂原子的方法。该方法包括以下步骤:在
表面
部分上形成一个或多个微影位点;在低于100K的温度下,使用具有包含掺杂剂原子及氢原子的分子的气体以一方式向
表面
部分定...
M·西蒙斯
J·凯泽尔
一种
半导体
表面
去除氟杂质的方法
本发明提供了一种
半导体
表面
去除氟杂质的方法,所述方法包括以下步骤:(1)在真空条件下对
表面
附着有氟杂质的
半导体
于150℃‑300℃下加热处理,同时将活性炭置于
半导体
所在的空间中;(2)在pH不小于9的碱液中浸泡步骤(1)...
邓三军
一种基于图像识别的
半导体
表面
缺陷检测系统
本发明属于
半导体
检测技术领域,具体是一种基于图像识别的
半导体
表面
缺陷检测系统,包括服务器、图像扫描采集模块、图像预处理模块、图像定位配准模块、像素瑕疵检测识别模块以及
表面
缺陷综合评估模块;本发明通过图像预处理模块将所采集...
张腾
郑明国
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于国浩
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蔡勇
作品数:146
被引量:24
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供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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