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化学汽相淀积
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相关度排序
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时效性降序
时效性升序
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时效性降序
时效性升序
化学
汽
相
淀
积
涂层切削刀片及其制造方法
一种用于切屑形成材料去除作业的涂层切削刀片,其中所述的涂层切削刀片具有一个基材和所述基材上的一个涂层方案。所述涂层方案包括一层CVD过渡涂层。所述涂层方案还包括一个具有多次涂层应用的CVD多层涂层方案。每一次涂层应用包括...
R.库珀
P.莱克特
Y.刘
Z.刘
化学
汽
相
淀
积
涂层切削刀片及其制造方法
一种用于切屑形成材料去除作业的涂层切削刀片,其中所述的涂层切削刀片具有一个基材和所述基材上的一个涂层方案。所述涂层方案包括一层CVD过渡涂层。所述涂层方案还包括一个具有多次涂层应用的CVD多层涂层方案。每一次涂层应用包括...
R.库珀
P.莱克特
Y.刘
Z.刘
金属有机
化学
汽
相
淀
积
设备及其温度控制方法
本发明提供一种金属有机
化学
汽
相
淀
积
设备及其温度控制方法。该设备包括:腔室;安装在腔室内侧并能旋转的衬托器,其中,将至少一个衬底设置于衬托器上;加热衬托器的多个加热器,其温度被独立控制;气体喷射器,位于衬托器上部且朝向衬托...
洪性在
金属有机
化学
汽
相
淀
积
设备及其温度控制方法
本发明提供一种金属有机
化学
汽
相
淀
积
设备及其温度控制方法。该设备包括:腔室;安装在腔室内侧并能旋转的衬托器,其中,将至少一个衬底设置于衬托器上;加热衬托器的多个加热器,其温度被独立控制;气体喷射器,位于衬托器上部且朝向衬托...
洪性在
金属有机
化学
汽
相
淀
积
设备及其温度控制方法
本发明提供一种金属有机
化学
汽
相
淀
积
设备及其温度控制方法。该设备包括:腔室;安装在腔室内侧并能旋转的衬托器,其中,将至少一个衬底设置于衬托器上;加热衬托器的多个加热器,其温度被独立控制;气体喷射器,位于衬托器上部且朝向衬托...
洪性在
催化剂增强的
化学
汽
相
淀
积
设备及利用该设备的
淀
积
方法
本发明公开了一种催化剂增强的
化学
汽
相
淀
积
(CECVD)设备和
淀
积
方法,其中为防止催化剂丝因热变形导致松垂而向催化剂丝施加张力,并且为防止产生异物而使用辅助气体。该CECVD设备可构造为具有:处理腔、将处理气体导入处理腔的...
康熙哲
古野和雄
金汉基
金明洙
平板式等离子体增强
化学
汽
相
淀
积
设备的反应室结构
本发明一种平板式等离子体增强
化学
汽
相
淀
积
(PECVD)设备的反应室结构,涉及微电子技术,是由内真空室与外腔室嵌套组成;内真空室上段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室连接;内真空室上段的顶壁外侧通过螺杆与外腔室顶面的堵转...
刘训春
周宗义
李兵
张育胜
王佳
张永利
等离子体
化学
汽
相
淀
积
氟化非晶碳膜的方法及膜层结构
本发明公开了一种电子回旋共振等离子体
化学
汽
相
淀
积
氟化非晶碳膜的方法及膜层结构,其方法是在
淀
积
室中的多种衬底上用碳氢和碳氟源气体作为前驱气体
淀
积
氟化非晶碳膜,利用电子回旋共振效应吸收微波能量分解前驱气体,并在衬底上形成介电...
吴振宇
杨银堂
汪家友
李跃进
大气压
化学
汽
相
淀
积
一种用于在大气压下涂覆衬底的方法,该方法包含下列步骤:在加热的惰性气流中在基本上大气压下蒸发可控质量的半导体材料,以产生具有高于该半导体材料凝结温度的温度的流体混合物;在基本上大气压下将该流体混合物引导到具有低于该半导体...
N·W·约翰斯顿
K·R·科尔曼约斯
N·A·赖特
通过
化学
汽
相
淀
积
使氮化硅膜和/或氧氮化硅膜
淀
积
的方法
本发明涉及一种含五(二甲基氨基)氯二硅烷的化合物与含氮气体和任选地含氧气体一起使用以通过CVD
淀
积
SiN(和任选SiON)膜的方法。
C·迪萨拉
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郝跃
作品数:2,605
被引量:1,235
H指数:13
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胡辉勇
作品数:473
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被引量:273
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研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
杨银堂
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