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化学涂层切削刀片及其制造方法
一种用于切屑形成材料去除作业的涂层切削刀片,其中所述的涂层切削刀片具有一个基材和所述基材上的一个涂层方案。所述涂层方案包括一层CVD过渡涂层。所述涂层方案还包括一个具有多次涂层应用的CVD多层涂层方案。每一次涂层应用包括...
R.库珀P.莱克特Y.刘Z.刘
化学涂层切削刀片及其制造方法
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R.库珀P.莱克特Y.刘Z.刘
金属有机化学设备及其温度控制方法
本发明提供一种金属有机化学设备及其温度控制方法。该设备包括:腔室;安装在腔室内侧并能旋转的衬托器,其中,将至少一个衬底设置于衬托器上;加热衬托器的多个加热器,其温度被独立控制;气体喷射器,位于衬托器上部且朝向衬托...
洪性在
金属有机化学设备及其温度控制方法
本发明提供一种金属有机化学设备及其温度控制方法。该设备包括:腔室;安装在腔室内侧并能旋转的衬托器,其中,将至少一个衬底设置于衬托器上;加热衬托器的多个加热器,其温度被独立控制;气体喷射器,位于衬托器上部且朝向衬托...
洪性在
金属有机化学设备及其温度控制方法
本发明提供一种金属有机化学设备及其温度控制方法。该设备包括:腔室;安装在腔室内侧并能旋转的衬托器,其中,将至少一个衬底设置于衬托器上;加热衬托器的多个加热器,其温度被独立控制;气体喷射器,位于衬托器上部且朝向衬托...
洪性在
催化剂增强的化学设备及利用该设备的方法
本发明公开了一种催化剂增强的化学(CECVD)设备和方法,其中为防止催化剂丝因热变形导致松垂而向催化剂丝施加张力,并且为防止产生异物而使用辅助气体。该CECVD设备可构造为具有:处理腔、将处理气体导入处理腔的...
康熙哲古野和雄金汉基金明洙
平板式等离子体增强化学设备的反应室结构
本发明一种平板式等离子体增强化学(PECVD)设备的反应室结构,涉及微电子技术,是由内真空室与外腔室嵌套组成;内真空室上段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室连接;内真空室上段的顶壁外侧通过螺杆与外腔室顶面的堵转...
刘训春周宗义李兵张育胜王佳张永利
等离子体化学氟化非晶碳膜的方法及膜层结构
本发明公开了一种电子回旋共振等离子体化学氟化非晶碳膜的方法及膜层结构,其方法是在室中的多种衬底上用碳氢和碳氟源气体作为前驱气体氟化非晶碳膜,利用电子回旋共振效应吸收微波能量分解前驱气体,并在衬底上形成介电...
吴振宇杨银堂汪家友李跃进
大气压化学
一种用于在大气压下涂覆衬底的方法,该方法包含下列步骤:在加热的惰性气流中在基本上大气压下蒸发可控质量的半导体材料,以产生具有高于该半导体材料凝结温度的温度的流体混合物;在基本上大气压下将该流体混合物引导到具有低于该半导体...
N·W·约翰斯顿K·R·科尔曼约斯N·A·赖特
通过化学使氮化硅膜和/或氧氮化硅膜的方法
本发明涉及一种含五(二甲基氨基)氯二硅烷的化合物与含氮气体和任选地含氧气体一起使用以通过CVDSiN(和任选SiON)膜的方法。
C·迪萨拉

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郝跃
作品数:2,605被引量:1,235H指数:13
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
胡辉勇
作品数:473被引量:197H指数:7
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
宣荣喜
作品数:334被引量:88H指数:5
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
张鹤鸣
作品数:478被引量:273H指数:9
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
杨银堂
作品数:1,647被引量:1,668H指数:16
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗