2025年7月26日
星期六
|
欢迎来到广东省立中山图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
搜索到
28074
篇“
化合物半导体
“的相关文章
资源类型:
全部数字资源类型
期刊文章
政策法规
学位论文
专利
会议论文
标准
专著
科技成果
产品样本
科技报告
全部数字资源类型
全部数字资源类型
期刊文章
政策法规
学位论文
专利
会议论文
标准
专著
科技成果
产品样本
科技报告
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种
化合物
半导体
器件封装结构
本申请提供一种
化合物
半导体
器件封装结构,涉及
半导体
技术领域,包括封装框架和设置于所述封装框架上的芯片,所述芯片的集成电路结构层上至少设置有栅电极、源电极和漏电极,所述栅电极和所述源电极之间形成驱动回路,所述源电极与所述漏...
梁壮
黎子兰
一种氮化镓基
化合物
半导体
激光器
本发明涉及
半导体
激光元件技术领域,具体公开了一种氮化镓基
化合物
半导体
激光器。该氮化镓基
化合物
半导体
激光器,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层,上波导层与上限制层之间具有强布里渊光力耦合层...
郑锦坚
曹军
张会康
黄军
李晓琴
蔡鑫
蓝家彬
胡志勇
李水清
化合物
半导体
基板
提供能够降低含Al(铝)的氮化
物
半导体
层内的穿透位错的
化合物
半导体
基板。一种
化合物
半导体
基板,具备:Si(硅)基板;第1的Al氮化
物
半导体
层,其被形成于Si基板之上,是Al浓度沿着厚度方向随着从Si基板远离而减少的倾斜层...
大内澄人
铃木悠宜
生川满久
川村启介
化合物
半导体
器件射频热分布测试系统
本发明公开了一种
化合物
半导体
器件射频热分布测试系统,包括信号源、耦合器、隔离器、热台、负载调节器和红外热像仪;器件设在热台上,采用热台设置固定的环境温度;红外热像仪采集器件未加微波激励信号和直流激励信号时的背景热辐射信号...
邵国键
林罡
孙军
陈韬
刘柱
陈堂胜
基于EMMI的
化合物
半导体
器件直流测试系统
本发明公开了基于EMMI的
化合物
半导体
器件直流测试系统,包括测试夹具、源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源和EMMI平台;
化合物
半导体
器件装配在测试夹具中,EMMI平台采集
化合物
半导体
器件在不加电情况下的背景噪声信号...
邵国键
林罡
陈正廉
孙军
刘柱
陈韬
陈堂胜
用于
化合物
半导体
层堆叠的应力减轻结构
本发明涉及用于
化合物
半导体
层堆叠的应力减轻结构,提供包括
化合物
半导体
层堆叠的结构以及形成此类结构的方法。该结构包括位于衬底上的装置区。该装置区包括层堆叠的第一区段,该层堆叠具有多个
半导体
层,且各
半导体
层包括
化合物
半导体
材...
C·布雷特
H·拉姆齐
R·理查德
何忠祥
M·帕特里克
一种
化合物
半导体
中背景载流子产生的抑制方法
本发明涉及
半导体
技术领域,更具体地,涉及一种
化合物
半导体
中背景载流子产生的抑制方法。针对两种非同族元素形成的
化合物
半导体
材料,在
化合物
半导体
生长过程中,在
化合物
外延层中引入设定浓度的较低原子序数、
化合物
半导体
中较强金属性...
刘扬
于越
吴千树
一种GaN基
化合物
半导体
激光器元件
本发明提出了一种GaN基
化合物
半导体
激光器元件,包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层,所述下限制层和下波导层之间设置有电子自旋态调控层,设计电子自旋态调控层中第一电子自旋态调控层和第...
阚宏柱
郑锦坚
张江勇
胡志勇
蔡鑫
钟志白
张钰
陈婉君
寻飞林
邓和清
李水清
低缺陷密度
化合物
半导体
薄膜及其制备方法与应用
一种低缺陷密度
化合物
半导体
薄膜及其制备方法与应用,包括:在衬底上交替生长
化合物
半导体
层与缺陷阻隔层,缺陷阻隔层具备槽型结构,用于限制缺陷传播并引导
化合物
半导体
层的横向生长;通过多次交替生长逐步扩展低缺陷区域,直至形成完整...
刘箭
基于EMMI系统的
化合物
半导体
射频功率测试系统及方法
本发明公开了基于EMMI系统的
化合物
半导体
射频功率测试系统及方法,包括信号源,耦合器,隔离器,负载调节器和EMMI平台;首先采用EMMI平台采集器件在未加电和未加微波激励信号时的背景光信号;然后为器件加电,使得器件处于导...
邵国键
林罡
任彬
张长梅
刘柱
陈韬
陈堂胜
加载更多 ∨
相关作者
郝跃
作品数:2,605
被引量:1,235
H指数:13
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
过润秋
作品数:72
被引量:284
H指数:10
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:空场 场板 化合物半导体材料 复合场 势垒
毛维
作品数:193
被引量:16
H指数:3
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:场板 势垒层 电力电子系统 功率器件 淀积
杨翠
作品数:132
被引量:191
H指数:5
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:场板 势垒层 空场 功率器件 淀积
孙聂枫
作品数:228
被引量:78
H指数:6
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 坩埚 INP 晶体生长 籽晶
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张