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一种化合物半导体器件封装结构
本申请提供一种化合物半导体器件封装结构,涉及半导体技术领域,包括封装框架和设置于所述封装框架上的芯片,所述芯片的集成电路结构层上至少设置有栅电极、源电极和漏电极,所述栅电极和所述源电极之间形成驱动回路,所述源电极与所述漏...
梁壮黎子兰
一种氮化镓基化合物半导体激光器
本发明涉及半导体激光元件技术领域,具体公开了一种氮化镓基化合物半导体激光器。该氮化镓基化合物半导体激光器,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层,上波导层与上限制层之间具有强布里渊光力耦合层...
郑锦坚曹军张会康黄军李晓琴蔡鑫蓝家彬胡志勇李水清
化合物半导体基板
提供能够降低含Al(铝)的氮化半导体层内的穿透位错的化合物半导体基板。一种化合物半导体基板,具备:Si(硅)基板;第1的Al氮化半导体层,其被形成于Si基板之上,是Al浓度沿着厚度方向随着从Si基板远离而减少的倾斜层...
大内澄人铃木悠宜生川满久川村启介
化合物半导体器件射频热分布测试系统
本发明公开了一种化合物半导体器件射频热分布测试系统,包括信号源、耦合器、隔离器、热台、负载调节器和红外热像仪;器件设在热台上,采用热台设置固定的环境温度;红外热像仪采集器件未加微波激励信号和直流激励信号时的背景热辐射信号...
邵国键林罡孙军陈韬刘柱陈堂胜
基于EMMI的化合物半导体器件直流测试系统
本发明公开了基于EMMI的化合物半导体器件直流测试系统,包括测试夹具、源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源和EMMI平台;化合物半导体器件装配在测试夹具中,EMMI平台采集化合物半导体器件在不加电情况下的背景噪声信号...
邵国键林罡陈正廉孙军刘柱陈韬陈堂胜
用于化合物半导体层堆叠的应力减轻结构
本发明涉及用于化合物半导体层堆叠的应力减轻结构,提供包括化合物半导体层堆叠的结构以及形成此类结构的方法。该结构包括位于衬底上的装置区。该装置区包括层堆叠的第一区段,该层堆叠具有多个半导体层,且各半导体层包括化合物半导体材...
C·布雷特H·拉姆齐R·理查德何忠祥M·帕特里克
一种化合物半导体中背景载流子产生的抑制方法
本发明涉及半导体技术领域,更具体地,涉及一种化合物半导体中背景载流子产生的抑制方法。针对两种非同族元素形成的化合物半导体材料,在化合物半导体生长过程中,在化合物外延层中引入设定浓度的较低原子序数、化合物半导体中较强金属性...
刘扬于越吴千树
一种GaN基化合物半导体激光器元件
本发明提出了一种GaN基化合物半导体激光器元件,包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层,所述下限制层和下波导层之间设置有电子自旋态调控层,设计电子自旋态调控层中第一电子自旋态调控层和第...
阚宏柱郑锦坚张江勇胡志勇蔡鑫钟志白张钰陈婉君寻飞林邓和清李水清
低缺陷密度化合物半导体薄膜及其制备方法与应用
一种低缺陷密度化合物半导体薄膜及其制备方法与应用,包括:在衬底上交替生长化合物半导体层与缺陷阻隔层,缺陷阻隔层具备槽型结构,用于限制缺陷传播并引导化合物半导体层的横向生长;通过多次交替生长逐步扩展低缺陷区域,直至形成完整...
刘箭
基于EMMI系统的化合物半导体射频功率测试系统及方法
本发明公开了基于EMMI系统的化合物半导体射频功率测试系统及方法,包括信号源,耦合器,隔离器,负载调节器和EMMI平台;首先采用EMMI平台采集器件在未加电和未加微波激励信号时的背景光信号;然后为器件加电,使得器件处于导...
邵国键林罡任彬张长梅刘柱陈韬陈堂胜

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郝跃
作品数:2,605被引量:1,235H指数:13
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
过润秋
作品数:72被引量:284H指数:10
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:空场 场板 化合物半导体材料 复合场 势垒
毛维
作品数:193被引量:16H指数:3
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:场板 势垒层 电力电子系统 功率器件 淀积
杨翠
作品数:132被引量:191H指数:5
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:场板 势垒层 空场 功率器件 淀积
孙聂枫
作品数:228被引量:78H指数:6
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 坩埚 INP 晶体生长 籽晶