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刻蚀速率测量方法及晶圆预清洗工艺
本发明提供一种刻蚀速率测量方法及晶圆预清洗工艺，该刻蚀速率测量方法包括以下步骤：提供一衬底，并于衬底的上表面形成待刻蚀层；采用第一刻蚀剂处理衬底上表面的待刻蚀层第一预设时间，以使待刻蚀层减薄预设厚度；测量经过第一刻蚀剂处...
刘伟霞
一种分段测量晶体半球湿法刻蚀速率的方法
本发明公开了一种分段测量晶体半球湿法刻蚀速率的方法，先将晶体半球按照以赤道向北极的方向分别划分成低速率区域、中速率区域以及高速率区域；确定高速率区域、中速率区域、低速率区域以及晶体半球的刻蚀时间；设置四个同样大小的晶体半...
吴国荣钱程冯晓雨王眉欢陈冲马鹤峰
ICP刻蚀Mo侧壁角度及刻蚀速率的研究
2025年
采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8°~85.0°图形侧壁倾角,表明图形侧壁角度可在大范围内得到控制,刻蚀速率可在148~232 nm/min调节,为薄膜体声波谐振器(FBAR)器件研制工艺打下良好基础。
田本朗梁柳洪何成勇罗淦郭耀祖米佳
关键词：MO刻蚀速率
半导体结构及其制备方法、半导体被刻蚀速率的测量方法
本发明提供半导体结构及其制备方法、半导体被刻蚀速率的测量方法，半导体结构用于刻蚀速率测量，包括材料不同的半导体层和对照材料层；半导体层的第一表面包括至少一个凹槽，凹槽内填充有对照材料层，对照材料层与半导体层的表面齐平。本...
李宁宁刘佳磊马甜甜
一种提高铝金属刻蚀速率的方法
本发明提供一种提高铝金属刻蚀速率的方法，采用高浓度氮气和其他刻蚀气体一起进行刻蚀，具体是在衬底上沉积金属铝层，并在表面涂覆光刻胶；采用BCl<Sub>3</Sub>、Cl<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</Sub...
龙泉志杨雷 张序清 高大为
一种刻蚀速率补偿方法和半导体工艺设备
本发明实施例提供了一种刻蚀速率补偿方法和一种半导体工艺设备，方法包括：在循环执行刻蚀工艺的工艺步过程中，获取第一时间段内的记录的多个摆阀开度值，计算摆阀开度值的统计值；若刻蚀工艺已执行的时间大于一个清洁周期，且摆阀开度值...
陈永锋
一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置及控制方法
本发明涉及磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置及控制方法，控制装置包括：靶、恒压电源以及设置于靶后方的磁场模块，磁场模块包括永磁铁和控制模块，永磁铁根据控制模块输入的控制参数的不同而改变位置，即改变磁铁距离靶的距离。本发明...
蔺增 毕诗博 刘兴龙 邓方昱 孙彬
改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法及刻蚀腔室
本发明涉及一种改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法及刻蚀腔室，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中在连续的刻蚀工艺中，随着刻蚀腔室刻蚀的晶圆数量的增加，腔室内壁吸附的氟离子会与溴化氢气体结合，造成对多晶硅膜质进行刻...
金宗范崔珍善周娜李俊杰王佳李琳
刻蚀速率确定方法、制备方法、电子设备及计算机可读介质
本发明公开了一种刻蚀速率确定方法、制备方法、电子设备及计算机可读介质。所述刻蚀速率确定方法包括：确定初始因瓦板材的织构含量；根据所述初始因瓦板材中的织构含量确定对所述初始因瓦板材进行刻蚀的刻蚀速率，其中，所述刻蚀速率与立...
刘欢龙 陈鼎国
刻蚀速率确定方法、制备方法、电子设备及计算机可读介质
本发明公开了一种刻蚀速率确定方法、制备方法、电子设备及计算机可读介质。所述刻蚀速率确定方法包括：确定初始因瓦板材的织构含量；根据所述初始因瓦板材中的织构含量确定对所述初始因瓦板材进行刻蚀的刻蚀速率，其中，所述刻蚀速率与立...
刘欢龙陈鼎国
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胡辉勇
作品数：473被引量：197H指数：7
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
宣荣喜
作品数：334被引量：88H指数：5
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
戴显英
作品数：250被引量：186H指数：8
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：晶圆 应变SI 绝缘层 SIGE BICMOS
张鹤鸣
作品数：478被引量：273H指数：9
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
宋建军
作品数：362被引量：111H指数：6
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻