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- 利用0.2μmGaAsPHEMT工艺实现了40Gb/s光接收机中的前置放大器.该放大器采用有源偏置的七级分布放大器结构,3dB带宽超过40GHz,输入输出反射损耗小于-10dB,跨阻增益为45.6dBΩ,最小等效输入噪声电流密度为22pA/Hz,功耗为300mW,可有效地应用于40Gb/s光接收机中.
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- 基于正交试验法的微波宽带分布放大器优化设计
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- 本文给出了一种基于正交试验法的微波宽带分布放大器优化设计的方法。这种方法不必设置初始值 ,可以在整个设计空间同时对多个目标函数寻优 ,具有较高的收敛速度 ,并且有助于改进一些传统的优化方法对初值依赖的局限性。算例显示了该方法是有效的 ,对于微波宽带分布放大器优化设计具有实用价值。
- 孙玲玲刘军周智李训根赵文明
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- 分布放大器(DA)具有宽带,超线性相位的特征,它广泛用于当档的视频放大,脉冲宽带放大,示波器,雷达系统,基本粒子探测,宽带通鹤系统以及其他需要宽带线性放大(特别是严格的线性相位要求)的航天、军事及民用系统中.
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- 该文对分布放大器的基本原理从理论上进行了分析,阐述了计算机模拟的设计方法.着重分析了使分布放大器增益-带宽的乘积达到最大值的基本设计方法.该方法可以使人们比较容易地检验各参量对增益-带宽乘积的影响,这些参量包括:器件参数...
- 王春兴
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- 1995年
- 报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。
- 于玲莉
- 关键词：单片集成分布放大器MMIC宽带
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