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光电二极管
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时效性降序
时效性升序
相关度排序
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被引量排序
时效性降序
时效性升序
雪崩
光电
二极管
本实用新型涉及一种雪崩
光电
二极管
。本实用新型的一个目的是提供一种改进的雪崩
光电
二极管
。一种雪崩
光电
二极管
,包括:适于被反向偏置的主PN结;以及多个半导体区域,所述多个半导体区域至少包括:第一区域,所述第一区域是第一导电类...
A·兹莫
D·戈兰斯基
S·普雷斯
G·玛钱德
光电
二极管
本公开涉及
光电
二极管
。
光电
二极管
包括具有吸收给定波长的光的带隙的半导体的载流子生成区域,使得在其中生成电荷载流子。
光电
二极管
还包括n掺杂和p掺杂半导体区域,其各自的带隙高于载流子生成区域的带隙,各自的带隙对于给定波长的光...
D·J·S·贝克特
光电
二极管
本发明提供一种
光电
二极管
,其包括基板和半导体层叠体。基板具有主面。半导体层叠体配置在主面上。半导体层叠体包含配置在主面上的缓冲层和配置在缓冲层上的光吸收层。光吸收层由In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1‑x</S...
向井俊和
麦野遥一
非晶硅
光电
二极管
模组
本发明提供一种非晶硅
光电
二极管
模组,包括:TFT玻璃基底,包含第一面以及相对的第二面;第一非晶硅
光电
二极管
,具有第一透明上电极以及第一透明下电极,所述第一非晶硅
光电
二极管
通过所述第一透明下电极固定于所述TFT玻璃基底的第...
张岚
顾铁
刘柱
王伟
高功率
光电
二极管
本公开涉及高功率
光电
二极管
。在一些实现中,一种
光电
二极管
包括第一半导体材料的波导层。
光电
二极管
可以包括在第一半导体材料中的第一离子注入区,第一离子注入区被掺杂以呈现第一导电类型。
光电
二极管
可以包括在波导层上的第二半导体材...
J·艾克特
陈承坤
M·G·布德罗
雪崩
光电
二极管
和探测器
本发明公开一种雪崩
光电
二极管
和探测器,雪崩
光电
二极管
包括具有第一掺杂类型的外延层、第三半导体区和第四半导体区,具有第二掺杂类型的第一半导体区、第二半导体区,以及吸杂区;第一半导体区为阴极,设于第一表面,第二半导体区包裹于...
兰武
雪崩
光电
二极管
和探测器
本发明公开一种雪崩
光电
二极管
和探测器,雪崩
光电
二极管
包括具有第一掺杂类型的衬底、第二半导体区和第四半导体区,具有第二掺杂类型的第一半导体区,为高浓埋层的第三半导体区,第一半导体区设于第一表面,第二半导体区由第一半导体区背...
方磊
雪崩
光电
二极管
和探测器
本发明公开一种雪崩
光电
二极管
和探测器,雪崩
光电
二极管
包括衬底,第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、第四半导体区、第五半导体区、第六半导体区以及第七半导体区,第三半导体区与第二半导体区形成第一击穿结;第五半导体区为第...
方磊
一种雪崩
光电
二极管
及制备方法
本发明公开了一种雪崩
光电
二极管
及制备方法,包括衬底以及自下而上依次生长在衬底上的p型接触层、重p型掺杂电子阻挡层、渐变掺杂多量子阱吸收层、电场调控层层、倍增层和n型接触层,还包括p接触和n接触,所述p接触设于所述p型接触...
杨骏捷
付慧清
曾冬妮
潘淑洁
一种雪崩
光电
二极管
的封装结构
本发明公开了一种雪崩
光电
二极管
的封装结构,包括APD芯片、中介板单元、TIA芯片和封装基底,中介板单元和TIA芯片均电气连接封装基底,且中介板单元和TIA芯片处于同一平面内;APD芯片的两个电极分别电气连接中介板单元和T...
吴冀亮
祁帆
蔡鹏飞
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徐江涛
作品数:615
被引量:231
H指数:8
供职机构:天津大学
研究主题:CMOS图像传感器 图像传感器 集成电路设计 像素 模拟集成电路设计
高静
作品数:527
被引量:22
H指数:2
供职机构:天津大学
研究主题:图像传感器 集成电路设计 像素 模拟集成电路设计 CMOS图像传感器
谢振宇
作品数:258
被引量:59
H指数:6
供职机构:京东方科技集团股份有限公司
研究主题:薄膜晶体管 显示装置 钝化层 基板 构图
徐少颖
作品数:88
被引量:10
H指数:3
供职机构:北京京东方光电科技有限公司
研究主题:薄膜晶体管 传感器 光电二极管 显示装置 掩模板
史再峰
作品数:507
被引量:73
H指数:4
供职机构:天津大学
研究主题:集成电路设计 图像传感器 CMOS图像传感器 像素 模拟集成电路设计
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