搜索到4159篇“ 光刻技术“的相关文章
- 光刻技术
- 《半导体器件制造技术丛书》编写组
- 关键词：半导体工艺电子束光刻
- 一种含氟氧化钛纳米颗粒光刻胶材料及其制备方法与在光刻技术中的应用
- 本发明提供一种含氟氧化钛纳米颗粒光刻胶材料及其制备方法与在光刻技术中的应用。本发明含氟氧化钛纳米颗粒光刻胶材料的制备方法包括步骤：将含氟配体和不含氟配体溶于溶剂A中，得到溶液A；将钛源溶于溶剂B中，得到溶液B；将溶液A和...
- 王倩倩康文兵邢士翠
- 反演光刻技术的研究进展
- 2025年
- 反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实现方法;其次,调研了当前反演光刻技术应用在光刻掩模优化问题上的研究进展,分析了反演光刻技术的优势和存在的问题。以希望为计算光刻及相关研究领域的研究人员提供参考,为我国先进集成电路产业的发展提供技术支持。
- 艾飞苏晓菁韦亚一
- 一种应用于FIB光刻技术中的实时检测设备
- 本发明公开了一种应用于FIB光刻技术中的实时检测设备，包括用于离子束光刻的N把离子枪和用于离子束光刻之后的检测以保证光刻质量的N把电子枪一，N≥1，其特征在于，离子枪与电子枪一分别控制，同步工作。本发明具有如下有益效果：...
- 张洁张启华简维廷汪俊亮张勇为蒋军浩吕佑龙
- 全息光刻技术(特邀)
- 2024年
- 全息光刻是一种先进的掩模对准光刻,是接近式光刻的拓展,为大面积图形制造、集成电路互连封装以及微纳结构制造提供了一种方法。用全息掩模代替接近式光刻中的二值掩模,可以提高分辨率和成像对比度。与主流的投影式光刻相比,全息光刻无需复杂的投影物镜系统,提供了一种低成本、高产率的替代方法。与传统的干涉光刻相比,全息光刻可以制造任意形状掩模图形,自由度更高。极紫外波段的全息光刻进一步将光刻分辨率提升到纳米量级。简要回顾了接近式光刻的理论与技术,介绍了全息光刻掩模设计与制造的基本原理,以及国内外研究进展。
- 刘宇洋潘东超付迪宇李思坤
- 关键词：全息光刻接近式光刻分辨率增强技术
- “激光光刻技术”专题前言
- 2024年
- 集成电路产业是现代信息社会的基石,其飞速发展与其制造工艺——光刻技术的进步密不可分。随着人工智能、光量子芯片等信息技术的发展,激光光刻凭借非接触式加工方式、高分辨率、低成本等优势,已成为制备定制化、功能化、集成化精密元器件的关键技术。
- 陈岐岱匡翠方匡翠方陈世祈
- 关键词：人工智能激光光刻集成电路产业光刻技术定制化光量子
- 用于反向光刻技术中掩模优化的机器学习
- 公开了用于反向光刻技术中掩模优化的机器学习。在半导体工业中，光刻是指光线投射通过掩模上的几何设计以照射半导体晶圆上的设计的制造过程。晶圆表面有光敏材料(即光刻胶)，当光敏材料被光照射时，使设计被蚀刻到晶圆上。然而，这种光...
- 杨浩宇任昊星
- 负性光刻胶在纳米压印光刻技术的应用前景
- 2024年
- 光刻技术在微纳米制造领域具有关键作用,而负性光刻胶因其低成本、高黏度的特点备受青睐。然而,负性光刻胶的分辨率限制在光刻线宽小于3μm时成为制约其应用的主要问题。结合纳米压印光刻技术的发展,探讨了负性光刻胶在纳米压印光刻领域的新趋势。纳米压印光刻技术的物理方法使其不受光刻胶分辨率限制,为负性光刻胶的应用提供了新的机遇。结合负性光刻胶的低成本优势,纳米压印光刻技术与负性光刻胶相结合,呈现出了不可替代的应用前景。
- 杨志伟吕薪羽
- 关键词：光刻技术纳米压印光刻技术
- 纳米压印光刻技术在中国半导体领域的应用与挑战被引量：2
- 2024年
- 光刻技术作为半导体制造的核心工艺,对提高集成电路(IC)的功能性和复杂性起着至关重要的作用。随着半导体行业对更高分辨率的追求,传统的光刻技术面临着光源波长与成本效益的限制。纳米压印光刻(Nanoimprint lithography,NIL)技术作为一种非传统的光刻方法,以其低成本和高分辨率的优势,为光刻机领域提供了新的发展方向。本文将探讨NIL技术的原理,以及它如何为中国光刻机行业的破局提供技术支持,从而促进产业技术的进步。
- 杨志伟
- 关键词：纳米压印光刻光刻机半导体制造
- 基于反向光刻技术的亚分辨率辅助图形插入规则研究
- 随着集成电路的工艺节点发展到亚百纳米,光刻工艺中的光学邻近效应愈发明显,造成光刻的工艺窗口缩小,严重影响集成电路制造的良率。业界开发出各种分辨率增强技术以提升工艺窗口,其中离轴照明技术通过改变光源入射角的方式增大了掩模密...
- 金耀
- 关键词：光刻工艺分辨率增强技术
相关作者
- 陈宝钦
- 作品数：199被引量：274H指数：9
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：电子束光刻 电子束曝光 电子束直写 抗蚀剂 电子束
- 冯伯儒
- 作品数：109被引量：225H指数：9
- 供职机构：中国科学院光电技术研究所
- 研究主题：光刻 相移掩模 光刻系统 干涉光刻 掩模
- 张锦
- 作品数：139被引量：234H指数：8
- 供职机构：西安工业大学光电工程学院
- 研究主题：光刻系统 干涉光刻 光刻 光刻技术 激光干涉
- 姚汉民
- 作品数：175被引量：243H指数：8
- 供职机构：中国科学院光电技术研究所
- 研究主题：光刻分辨力 投影光刻物镜 原子束 光刻 光子晶体
- 罗先刚
- 作品数：717被引量：344H指数：9
- 供职机构：中国科学院光电技术研究所
- 研究主题：光刻 超分辨 掩模 表面等离子体 金属
