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金属互连结构及半导体器件
本实用新型提供一种金属互连结构及半导体器件,通过在M层金属互连单元中设置第一结构,其将位于下层的金属互连单元的金属互连层伸入与其相邻的上层金属互连单元的介质层中,且由于每层的金属互连线的高度为预设高度不可改变,从而相对于...
孔森尹晓明
用于形成埋入式互连结构的方法
提供了一种用于形成半导体器件的方法,包括:在第一鳍片结构和第二鳍片结构之间形成用于埋入式互连结构的沟槽;用介电层来衬覆该沟槽;在该介电层的与第一鳍片结构的第一区域相邻的第一部分中蚀刻接触开口,同时掩蔽该介电层的与第二鳍片...
G·西布罗特G·米拉比利
一种晶圆与基板间的互连结构互连方法
本发明涉及一种晶圆与基板间的互连结构互连方法;包括如下步骤:制备具有金属探柱的金属纳米烧结体;在第二硅板上端面开设与各金属探柱一一对应的蘸取凹槽;在各蘸取凹槽中灌入纳米金属浆料,将金属纳米烧结体移动到第二硅板上方,并使...
刘旭叶怀宇
一种超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法及其结构
本发明公开一种超精细超高深宽比垂直互连结构的制备方法,基于临时晶圆载板依次制备第一层介质层和第一层互连线;多次循环上述步骤形成多层介质层和多层互连线的垂直互连结构;减薄最顶层的介质层并移除底部的临时晶圆载板;对制备的垂直...
袁渊夏晨辉王刚于宗光
一种适用于射频异构集成微系统互连结构的快速优化方法
本发明提供了一种适用于射频异构集成微系统互连结构的快速优化方法,其基于基础互连结构单元的等效电路模型或基础互连结构单元的等效电路模型库,构建了系统需求的复杂互连结构的等效电路模型,并通过快速优化所构建的等效电路模型获得互...
刘军汪曾达苏国东
一种半导体金属互连结构的制备方法、装置及电子设备
本申请提供了一种半导体金属互连结构的制备方法、装置及电子设备,涉及半导体制造技术领域,包括:对预设半导体器件进行光刻处理后,形成金属互连基体,其中,金属互连基体的表面形成一沟槽;先后在金属互连基体的表面沉积金属钨和金属铝...
鄢江兵卢金德陈献龙
金属互连结构及其形成方法
一种金属互连结构及其形成方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底的表面具有金属互连介质层;对所述金属互连介质层进行刻蚀,以形成沟槽和通孔;在所述沟槽及通孔的底部形成缓冲层;在所述缓冲层的表面形成金属阻挡材料层,...
袁洋朱作华王函
金属互连结构的制备方法
本发明提供一种金属互连结构的制备方法,包括:提供一基底,基底上具有第一介质层和第一金属层;在第一金属层和基底表面形成种子层;在基底上形成牺牲层,在牺牲层中形成电镀窗口;在电镀窗口中的种子层上电镀第二金属层,藉由电镀窗口控...
请求不公布姓名
互连结构的制备方法、半导体结构及化学机械研磨设备
本发明提供一种互连结构的制备方法、半导体结构及化学机械研磨设备。其中,所述制备方法在执行化学机械研磨工艺之后,在预设的第一时间内采用蒸镀工艺在暴露的金属层的表面形成保护层,以利用保护层实现氧隔离。即使在工艺制程中因故导致...
王有远
一种3D打印曲面多层电路垂直互连结构的成型方法
本发明提供一种3D打印曲面多层电路垂直互连结构的成型方法。该方法可以实现增材制造多层电路过程中一体化成型不同特征、表面光滑的高导通性互连结构,同时可以在曲面上增材成型任意空间结构。该方法灵活程度高,易于集成于多层电路的增...
李超苟宁孙奕王梦阳张田王旭东薛增辉尹恩怀王彦亮

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朱慧珑
作品数:1,194被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
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作品数:568被引量:38H指数:4
供职机构:清华大学
研究主题:半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
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供职机构:广东工业大学
研究主题:纳米金属 芯片 烧蚀 纳米铜 金属
钟汇才
作品数:381被引量:45H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 介质层 栅极 衬底 侧墙
叶甜春
作品数:849被引量:675H指数:10
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:沟道 X射线光刻 半导体器件 版图 衬底