搜索到23997篇“ 互补金属氧化物半导体“的相关文章
- 互补金属氧化物半导体
- 一种形成于(110)衬底上的半导体结构(例如互补金属氧化物半导体(CMOS))，其在迁移率增强上具有改善的性能，该结构包括单张应力衬层、压应力浅沟槽隔离(STI)区，或者张应力嵌入阱的至少之一，其与(110)衬底结合使用...
- 欧阳齐庆马西莫·菲谢蒂
- 互补金属氧化物半导体
- 一种形成于(110)衬底上的半导体结构(例如互补金属氧化物半导体(CMOS))，其在迁移率增强上具有改善的性能，该结构包括单张应力衬层、压应力浅沟槽隔离(STI)区，或者张应力嵌入阱的至少之一，其与(110)衬底结合使用...
- 欧阳齐庆马西莫·菲谢蒂
- 参考时钟互补金属氧化物半导体(CMOS)输入缓冲器
- 本申请案涉及具有自校准及改进的静电放电ESD性能的参考时钟互补金属氧化物半导体CMOS输入缓冲器。在一个实施例中，图像传感器的参考时钟输入缓冲器包含施密特(Schmitt)触发器，其经配置以产生具有下降边缘及上升边缘的时...
- C·Q·吴何雁莹张唯一
- 互补金属氧化物半导体芯片的管控系统以及计算机设备
- 本发明公开了一种互补金属氧化物半导体芯片的管控系统以及计算机设备，属于电子电路领域，考虑到（1）通过与电源供电电路以及CMOS芯片连接的放电控制电路，可控制计算机设备的CMOS芯片的放电与正常供电，从而简单高效的对CMO...
- 吕元生张莉
- 互补金属氧化物半导体电路
- 本发明公开了一种互补式金属氧化物半导体电路。所述互补式金属氧化物半导体电路包含一半导体基板本体、一第一主动区和一第二主动区、一第一型晶体管、一第一局部隔离层、一第二型晶体管和一第二局部隔离层。所述半导体基板本体具有一原始...
- 卢超群杜文仙
- 制造半导体装置及互补金属氧化物半导体影像感测器方法
- 一种制造半导体装置的方法及制造互补金属氧化物半导体影像感测器的方法，制造半导体装置的方法包括决定光阻剂成分中副产物的浓度。当副产物的浓度低于临界值时，使用光阻剂成分在基板上方形成光阻剂层。在光阻剂层中形成光阻剂图案，以露...
- 邱威超刘永进张浚威郭景森许峰嘉
- 金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路
- 本发明公开了一种互补金属氧化物半导体电路。半导体基板主体具有原始半导体表面。以所述半导体基板主体为基础，形成第一主动区和第二主动区。p型金属氧化物半导体晶体管形成在所述第一主动区中。第一局部隔离层位于所述p型金属氧化物半...
- 卢超群
- 用于高效互补金属氧化物半导体(CMOS)功率放大器的偏置电路
- 本公开的各方面涉及用于功率放大器的自适应偏置电路。自适应偏置电路可包括分流电阻器布置和/或浮栅线性化器布置。
- M·M·R·艾斯梅尔M·A·Y·阿布达拉
- 体互补金属氧化物半导体射频开关
- 提供了一种单刀单掷(SPST)射频(RF)开关，其包括串联堆叠的一个或多个开关，以及在一个或多个开关之前的串联设置在SPST RF开关的输入侧的第一电容器。SPST RF开关还包括并联设置在一个或多个开关两端的第二电容器...
- 陈颖郭哲均T·常
- 模数转换电路和互补金属氧化物半导体图像传感器
- 模数转换电路和互补金属氧化物半导体图像传感器。公开了模数转换(ADC)电路和包括该电路的CMOS图像传感器，其涉及用于去除通过像素数据的转换而产生的噪声的技术。ADC电路包括：第一列线，其被配置为从第一像素接收第一像素信...
- 金泰逵
