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一种基于互补工艺的大动态范围对数放大器
2022年
基于自主互补工艺,设计了一种单片大动态范围对数放大器,介绍了对数放大器总体架构以及工作原理。电路内部包含限幅放大器、整流器、偏置电路、输出级、失调补偿结构等单元,对对数放大器结构特点和实现原理进行了分析。芯片流片测试结果表明,该对数放大器在5 V工作电压条件下,工作频率DC-500 MHz;对数斜率23~27 mV/dB;对数截距-87~-77 dBm;输入失调电压≤500μV;电源电流≤14 mA;在对数精度±1 dB要求下,动态范围可达到80 dB以上;在对数精度±3 dB要求下,动态范围可达到88 dB以上;响应时间≤600 ns。
周远杰胡云兰范国亮
关键词:大动态范围对数放大器低功耗
用于互补工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法
一种用于互补工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法,步骤包括在单晶硅圆片一上制作N型埋层和P型埋层;在单晶硅圆片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅,形成介质隔离区;在单晶硅圆片二上生...
唐昭焕税国华胡刚毅李儒章王斌张杨波吴建
用于互补工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法
一种用于互补工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法,步骤包括在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层;在单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅,形成介质隔离区;在单晶硅片二上生长埋氧...
唐昭焕税国华胡刚毅李儒章王斌张杨波吴建
亚微米互补工艺关键器件研究
互补技术凭借其高速、大电流驱动等优势一直受到模拟集成电路设计者的青睐。而随着微电子技术的应用越来越广泛,许多领域如射频放大器、A//D转换器等对抗辐射能力以及信号失真度的要求也越来越严格,这就驱使人们在工艺上自然而然...
鲜文佳
关键词:亚微米SOI
0.8um SOI高频互补工艺的器件设计
互补技术凭借其高速、大电流驱动等优势一直受到模拟集成电路设计者的青睐。而随着微电子技术的应用越来越广泛,许多领域如射频放大器、A/D转换器等对抗辐射能力以及信号失真度的要求也越来越严格,这就驱使人们在工艺上自然而然地...
谢正旺
一种PN结隔离互补工艺被引量:3
2007年
介绍了几种互补工艺的结构和特点,详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补工艺;着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点,并对实际流片结果进行了讨论。
欧宏旗刘伦才胡明雨税国华
关键词:互补双极工艺PNP晶体管高速放大器
互补工艺在模拟集成电路中的应用研究
介绍了互补工艺的发展过程、自身优势及其在产业中的应用,讨论了典型的现代互补工艺中的SOI全介质隔离和多晶硅发射的特点,概述了互补工艺的发展趋势。
李荣强谢正旺曾鹏
关键词:模拟集成电路互补双极工艺多晶硅发射极
全介质隔离互补工艺技术研究
本文综合运用硅硅键合、深槽刻蚀、多晶硅回填、化学机械抛光和离子注入技术,进行了介质隔离互补工艺技术研究,实现了纵向PNP、NPN以及横向PNP晶体管的SOI单片集成,其中纵向PNP、纵向NPN和横向PNP的耐压分...
张正元胡明雨税国华刘玉奎
关键词:集成电路SOI互补双极工艺
基于互补工艺的高速12位电流型D/A转换器的设计被引量:1
2004年
基于互补工艺技术,设计出了一种二进制电流源加权型结构的高速12位电流型D/A转换器,与基于CMOS工艺技术的实现相比,该D/A转换器具有结构简单、性能优异的特点,Hspice模拟结果表明,其满量程输出电流为10.24mA,满量程建立时间小于25ns。
代国定庄奕琪刘锋
关键词:互补双极工艺D/A转换器
一种运用于高压、高速驱动器的自对准多晶硅发射互补工艺
本文介绍了一种运用于高压电路的结隔离3μm自对准多晶硅发射互补工艺,采用该工艺技术制作的晶体管,其NPN管BV<,CEO>>50V、f<,T>=1.8GHz,PNP管BV<,CEO>>70V、f<,T>=425...
叶冬陈鹏刘建华刘先锋

相关作者

李荣强
作品数:22被引量:30H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:模拟集成电路 互补双极工艺 多晶硅发射极 BICMOS D/A转换器
税国华
作品数:39被引量:29H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:互补双极工艺 可靠性 MEMS 传输路径 SPC
王成鹤
作品数:31被引量:40H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:运算放大器 频率补偿 输出电路 负电源 轨到轨
王界平
作品数:11被引量:11H指数:2
供职机构:电子工业部
研究主题:运算放大器 模拟集成电路 互补双极工艺 高频 超高速
王斌
作品数:20被引量:24H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:VDMOS器件 VDMOS 半导体工艺 抗辐射加固 牺牲层